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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RQ5E025SPTL

RQ5E025SPTL

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3

Rohm Semiconductor

2,983 -
RQ5E025SPTL

数据表

- SC-96 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 4V, 10V 98mOhm @ 2.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 5.4 nC @ 5 V 30 V ±20V 460 pF @ 10 V - - TSMT3 - 700mW (Ta) 150°C (TJ)
R5016ANX

R5016ANX

MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM

Rohm Semiconductor

7,574 -
R5016ANX

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 270mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 50 nC @ 10 V 500 V ±30V 1800 pF @ 25 V - - TO-220FM - 77W (Tc) 150°C (TJ)
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT

Rohm Semiconductor

2,722 -
RQ3E120BNTB

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 29 nC @ 10 V 30 V ±20V 1500 pF @ 15 V - - 8-HSMT (3.2x3) - 2W (Ta) 150°C (TJ)
RQ5A025ZPTL

RQ5A025ZPTL

MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Rohm Semiconductor

2,895 -
RQ5A025ZPTL

数据表

- SC-96 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 61mOhm @ 2.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 13 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 1350 pF @ 6 V - - TSMT3 - 760mW (Ta) 150°C (TJ)
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

Rohm Semiconductor

2,870 -
RQ3E150BNTB

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta), 39A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 45 nC @ 10 V 30 V ±20V 3000 pF @ 15 V - - 8-HSMT (3.2x3) - 2W (Ta), 17W (Tc) 150°C (TJ)
RQ6A045APTCR

RQ6A045APTCR

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

Rohm Semiconductor

2,808 -
RQ6A045APTCR

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 40 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 4200 pF @ 6 V - - TSMT6 (SC-95) - 950mW (Ta) 150°C (TJ)
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Rohm Semiconductor

2,805 -
RQ1C065UNTR

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 11 nC @ 4.5 V 20 V ±10V 870 pF @ 10 V - - TSMT8 - 700mW (Ta) 150°C (TJ)
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP

Rohm Semiconductor

2,225 -
RS1E150GNTB

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V 30 V ±20V 590 pF @ 15 V - - 8-HSOP - 3W (Ta), 22W (Tc) 150°C (TJ)
RSS095N05FU6TB

RSS095N05FU6TB

MOSFET N-CH 45V 9.5A 8SOP

Rohm Semiconductor

4,958 -
RSS095N05FU6TB

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.5A (Ta) 4V, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount - 26.5 nC @ 5 V 45 V 20V 1830 pF @ 10 V - - 8-SOP - 2W (Ta) -
QS6U24TR

QS6U24TR

MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

Rohm Semiconductor

11,246 -
QS6U24TR

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 4V, 10V 400mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 1.7 nC @ 5 V 30 V ±20V 90 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) TSMT6 (SC-95) - 1.25W (Ta) 150°C (TJ)
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