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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
RSD130P10TL

RSD130P10TL

MOSFET P-CH 100V 13A CPT3

Rohm Semiconductor

8,402 -
RSD130P10TL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) 4V, 10V - Surface Mount - - 100 V ±20V - - - CPT3 - 20W (Ta) 150°C (TJ)
SCT3080KLHRC11

SCT3080KLHRC11

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Rohm Semiconductor

816 -
SCT3080KLHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 31A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V Through Hole 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V 1200 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247N Automotive 165W 175°C (TJ)
SCT4036KEHRC11

SCT4036KEHRC11

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

368 -
SCT4036KEHRC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V Through Hole 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V 1200 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V AEC-Q101 - TO-247N Automotive 176W 175°C (TJ)
SCT4036KEC11

SCT4036KEC11

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

4,683 -
SCT4036KEC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V Through Hole 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V 1200 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - - TO-247N - 176W 175°C (TJ)
SCT3030KLGC11

SCT3030KLGC11

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

Rohm Semiconductor

265 -
SCT3030KLGC11

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 72A (Tc) 18V 39mOhm @ 27A, 18V Through Hole 5.6V @ 13.3mA 131 nC @ 18 V 1200 V +22V, -4V 2222 pF @ 800 V - - TO-247N - 339W (Tc) 175°C (TJ)
RZL025P01TR

RZL025P01TR

MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6

Rohm Semiconductor

2,950 -
RZL025P01TR

数据表

- 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 61mOhm @ 2.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 1mA 13 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 1350 pF @ 6 V - - TUMT6 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
RTR030P02TL

RTR030P02TL

MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3

Rohm Semiconductor

2,861 -
RTR030P02TL

数据表

- SC-96 Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 75mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 2V @ 1mA 9.3 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 840 pF @ 10 V - - TSMT3 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
R6025ANZC8

R6025ANZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Rohm Semiconductor

9,597 -
R6025ANZC8

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 150mOhm @ 12.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 88 nC @ 10 V 600 V ±20V 3250 pF @ 10 V - - TO-3PF - 150W (Tc) 150°C (TJ)
R6030ENZC8

R6030ENZC8

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Rohm Semiconductor

2,649 -
R6030ENZC8

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 85 nC @ 10 V 600 V ±20V 2100 pF @ 25 V - - TO-3PF - 120W (Tc) 150°C (TJ)
R6035ENZC8

R6035ENZC8

MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Rohm Semiconductor

6,455 -
R6035ENZC8

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 110 nC @ 10 V 600 V ±20V 2720 pF @ 25 V - - TO-3PF - 120W (Tc) 150°C (TJ)
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