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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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R6006JNXC7G

R6006JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM

Rohm Semiconductor

869 -
R6006JNXC7G

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V Through Hole 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V 600 V ±30V 410 pF @ 100 V - - TO-220FM - 43W (Tc) 150°C (TJ)
R6009JND3TL1

R6009JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

Rohm Semiconductor

2,450 -
R6009JND3TL1

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V Surface Mount 7V @ 1.38mA 22 nC @ 15 V 600 V ±30V 645 pF @ 100 V - - TO-252 - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
R6020ENXC7G

R6020ENXC7G

600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

950 -
R6020ENXC7G

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V 600 V ±20V 1400 pF @ 25 V - - TO-220FM - 68W (Tc) 150°C (TJ)
R6530KNZC17

R6530KNZC17

MOSFET N-CH 650V 30A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
R6530KNZC17

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V Through Hole 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V 650 V ±20V 2350 pF @ 25 V - - TO-3PF - 86W (Tc) 150°C (TJ)
R6530ENZC17

R6530ENZC17

MOSFET N-CH 650V 30A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
R6530ENZC17

数据表

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V Through Hole 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V 650 V ±20V 2100 pF @ 25 V - - TO-3PF - 86W (Tc) 150°C (TJ)
RSS095N05HZGTB

RSS095N05HZGTB

NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09

Rohm Semiconductor

2,250 -
RSS095N05HZGTB

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.5A (Ta) 4V, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 26.5 nC @ 5 V 45 V ±20V 1830 pF @ 10 V - - 8-SOP - 1.4W (Ta) 150°C (TJ)
R6006JNJGTL

R6006JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

Rohm Semiconductor

1,098 -
R6006JNJGTL

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V Surface Mount 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V 600 V ±30V 410 pF @ 100 V - - LPTS - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

Rohm Semiconductor

1,285 -
RD3L08BGNTL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 2.5V @ 100µA 71 nC @ 10 V 60 V ±20V 3620 pF @ 30 V - - TO-252 - 119W (Tc) 150°C (TJ)
RS1E350GNTB

RS1E350GNTB

MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

Rohm Semiconductor

2,500 -
RS1E350GNTB

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V 30 V ±20V 4060 pF @ 15 V - - 8-HSOP - 3W (Ta) 150°C (TJ)
R6509KNXC7G

R6509KNXC7G

650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

Rohm Semiconductor

3,990 -
R6509KNXC7G

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V Through Hole 5V @ 230µA 16.5 nC @ 10 V 650 V ±20V 540 pF @ 25 V - - TO-220FM - 48W (Tc) 150°C (TJ)
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