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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJK03M1DPA-00#J5A

RJK03M1DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

Renesas Electronics Corporation

8,736 -
RJK03M1DPA-00#J5A

数据表

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V Surface Mount - 25 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 4720 pF @ 10 V - - WPAK(3F) (5x6) - 45W (Tc) 150°C (TJ)
NP75N04YUK-E1-AY

NP75N04YUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
NP75N04YUK-E1-AY

数据表

- 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 38A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 87 nC @ 10 V 40 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - 8-HSON (5x5.4) - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C
RJL5014DPP-A0#T2

RJL5014DPP-A0#T2

ABU / MOSFET HV

Renesas Electronics Corporation

5,158 -
RJL5014DPP-A0#T2

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta) 10V 400mOhm @ 9.5A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 43 nC @ 10 V 500 V ±30V 1700 pF @ 25 V - - TO-220FN - 35W (Ta) 150°C
RJK03T2DPA-00#J5A

RJK03T2DPA-00#J5A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
RJK03T2DPA-00#J5A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1283-AZ

2SK1283-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,431 -
2SK1283-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1283(1)-AZ

2SK1283(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

961 -
2SK1283(1)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP90N04VLK-E1-AY

NP90N04VLK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO252

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
NP90N04VLK-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V 40 V ±20V 5700 pF @ 25 V - - TO-252 (MP-3ZP) - 1.2W (Ta), 147W (Tc) 175°C
RJK5033DPP-M0#T2

RJK5033DPP-M0#T2

MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

Renesas Electronics Corporation

2,089 -
RJK5033DPP-M0#T2

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V Through Hole - - 500 V ±30V 600 pF @ 25 V - - TO-220FL - 27.4W (Tc) 150°C (TJ)
2SK3481-Z-AZ

2SK3481-Z-AZ

MOSFET N-CH

Renesas Electronics Corporation

373 -
2SK3481-Z-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK4007DPP-00#T2

RJK4007DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

393 -
RJK4007DPP-00#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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