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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FX6KMJ-3

FX6KMJ-3

6A, 150V, 0.5

Renesas Electronics Corporation

750 -
FX6KMJ-3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 4V, 10V 530mOhm @ 3A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 150 V ±20V 2420 pF @ 10 V - - TO-220FN - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C
2SJ133-Z-E1-AZ

2SJ133-Z-E1-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

5,868 -
2SJ133-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK6024DPD-00#J2

RJK6024DPD-00#J2

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
RJK6024DPD-00#J2

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400mA (Ta) 10V 42Ohm @ 200mA, 10V Surface Mount - 4.3 nC @ 10 V 600 V ±30V 37.5 pF @ 25 V - - MP-3A - 27.2W (Tc) 150°C (TJ)
2SK3811-ZP-E1-AY

2SK3811-ZP-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

Renesas Electronics Corporation

2,265 -
2SK3811-ZP-E1-AY

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 55A, 10V Surface Mount - 260 nC @ 10 V 40 V ±20V 17700 pF @ 10 V - - TO-263 - 1.5W (Ta), 213W (Tc) 150°C (TJ)
HAT2033RJ01-EL

HAT2033RJ01-EL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,450 -
HAT2033RJ01-EL

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2710GR-E2-A

UPA2710GR-E2-A

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

27,500 -
UPA2710GR-E2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJJ0621DPP-0P#T2

RJJ0621DPP-0P#T2

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

18,428 -
RJJ0621DPP-0P#T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3481(0)-Z-E1-AZ

2SK3481(0)-Z-E1-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,000 -
2SK3481(0)-Z-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03R1DPA-00#J5A

RJK03R1DPA-00#J5A

N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

924,000 -
RJK03R1DPA-00#J5A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3114-S17-AZ

2SK3114-S17-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Renesas Electronics Corporation

1,000 -
2SK3114-S17-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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