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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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RJK0358DPA-01#J0

RJK0358DPA-01#J0

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

30,000 -
RJK0358DPA-01#J0

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK4093TZ-E

2SK4093TZ-E

MOSFET N-CH 250V 1A TO92MOD

Renesas Electronics Corporation

8,596 -
2SK4093TZ-E

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 Long Body Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 2.5V, 4V 2.6Ohm @ 500mA, 4V Through Hole - 5.5 nC @ 4 V 250 V ±10V 140 pF @ 25 V - - TO-92MOD - 900mW (Ta) 150°C (TJ)
UPA2709GR-E1-A

UPA2709GR-E1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

9,700 -
UPA2709GR-E1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK0358DPA-01#J0B

RJK0358DPA-01#J0B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

7,500 -
RJK0358DPA-01#J0B

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK0358DPA-WS#J0

RJK0358DPA-WS#J0

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,260 -
RJK0358DPA-WS#J0

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP40N055KLE-E1-AY

NP40N055KLE-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 40A TO263

Renesas Electronics Corporation

1,600 -
NP40N055KLE-E1-AY

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) - 23mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 41 nC @ 5 V 55 V - 1950 pF @ 25 V - - TO-263 - 1.8W (Ta), 66W (Tc) 175°C (TJ)
2SJ529-91L-E

2SJ529-91L-E

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,387 -
2SJ529-91L-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2718GR-E2-AT

UPA2718GR-E2-AT

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

19,780 -
UPA2718GR-E2-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2708GR-E1-A

UPA2708GR-E1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

15,000 -
UPA2708GR-E1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2718AGR-E1-AT

UPA2718AGR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 13A 8PSOP

Renesas Electronics Corporation

7,500 -
UPA2718AGR-E1-AT

数据表

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) - 9mOhm @ 6.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 67 nC @ 10 V 30 V - 2810 pF @ 10 V - - 8-PSOP - - -
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