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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BSH121,135

BSH121,135

MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323

NXP USA Inc.

9,896 -
BSH121,135

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMN25EN,115

PMN25EN,115

MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP

NXP USA Inc.

7,540 -
PMN25EN,115

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Ta) 4.5V, 10V 23mOhm @ 6.2A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 11 nC @ 10 V 30 V ±20V 492 pF @ 15 V - - SC-74 - 540mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMZB380XN,315

PMZB380XN,315

MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3

NXP USA Inc.

236,794 -
PMZB380XN,315

数据表

- SC-101, SOT-883 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 930mA (Ta) 2.5V, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 0.87 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 56 pF @ 25 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMZB300XN,315

PMZB300XN,315

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

NXP USA Inc.

230,000 -
PMZB300XN,315

数据表

- SC-101, SOT-883 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 2.5V, 4.5V 380mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 0.94 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 51 pF @ 20 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMF87EN,115

PMF87EN,115

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323-3

NXP USA Inc.

2,748 -
PMF87EN,115

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Ta) 4.5V, 10V 80mOhm @ 1.7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 4.7 nC @ 10 V 30 V ±20V 135 pF @ 15 V - - SC-70 - 275mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMZB790SN,315

PMZB790SN,315

MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3

NXP USA Inc.

98,722 -
PMZB790SN,315

数据表

- SC-101, SOT-883 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650mA (Ta) 4.5V, 10V 940mOhm @ 300mA, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 1.37 nC @ 10 V 60 V ±20V 35 pF @ 30 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3

NXP USA Inc.

62,537 -
PMZB420UN,315

数据表

- SC-101, SOT-883 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Ta) 1.8V, 4.5V 490mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.98 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 65 pF @ 25 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMG45UN,115

PMG45UN,115

MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP

NXP USA Inc.

8,318 -
PMG45UN,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) - 55mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 3.3 nC @ 4.5 V 20 V - 184 pF @ 10 V - - 6-TSSOP - 375mW (Ta), 4.35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN20EN,115

PMN20EN,115

MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP

NXP USA Inc.

9,561 -
PMN20EN,115

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.7A (Tj) 4.5V, 10V 20mOhm @ 6.7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 18.6 nC @ 10 V 30 V ±20V 630 pF @ 15 V - - SC-74 - 545mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN008-75P,127

PSMN008-75P,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

2,311 -
PSMN008-75P,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 122.8 nC @ 10 V 75 V ±20V 5260 pF @ 25 V - - TO-220AB - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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