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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BSH111,215

BSH111,215

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

NXP USA Inc.

357,331 -
BSH111,215

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMF780SN,115

PMF780SN,115

MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3

NXP USA Inc.

4,911 -
PMF780SN,115

数据表

TrenchMOS™ SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 570mA (Ta) 10V 920mOhm @ 300mA, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 1.05 nC @ 10 V 60 V ±20V 23 pF @ 30 V - - SC-70 - 560mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN70XPE,115

PMN70XPE,115

NOW NEXPERIA PMN70XPE - SC-74

NXP USA Inc.

41,368 -
PMN70XPE,115

数据表

- SC-74, SOT-457 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 85mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.25V @ 250µA 7.8 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 602 pF @ 10 V - - 6-TSOP - 500mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMT760EN,135

PMT760EN,135

MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

NXP USA Inc.

2,671 -
PMT760EN,135

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Ta) 4.5V, 10V 950mOhm @ 800mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 3 nC @ 10 V 100 V ±20V 160 pF @ 80 V - - SC-73 - 800mW (Ta), 6.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMXB350UPEZ

PMXB350UPEZ

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH

NXP Semiconductors

665,986 -
PMXB350UPEZ

数据表

- 3-XDFN Exposed Pad Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.2A (Ta) 1.2V, 4.5V 447mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 2.3 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 116 pF @ 10 V - - DFN1010D-3 - 360mW (Ta), 5.68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN35EN,115

PMN35EN,115

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

NXP USA Inc.

5,106 -
PMN35EN,115

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Ta) 4.5V, 10V 31mOhm @ 5.1A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 334 pF @ 15 V - - SC-74 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMT200EN,115

PMT200EN,115

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

NXP USA Inc.

6,802 -
PMT200EN,115

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Ta) 4.5V, 10V 235mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V 100 V ±20V 475 pF @ 80 V - - SC-73 - 800mW (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMT200EN,135

PMT200EN,135

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

NXP USA Inc.

5,706 -
PMT200EN,135

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Ta) 4.5V, 10V 235mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V 100 V ±20V 475 pF @ 80 V - - SC-73 - 800mW (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMG370XN,115

PMG370XN,115

MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP

NXP USA Inc.

4,583 -
PMG370XN,115

数据表

TrenchMOS™ 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 960mA (Ta) 2.5V, 4.5V 440mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 0.65 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 37 pF @ 25 V - - 6-TSSOP - 690mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMPB16XN,115

PMPB16XN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

NXP USA Inc.

5,336 -
PMPB16XN,115

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 21mOhm @ 7.2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 10.8 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 775 pF @ 15 V - - 6-DFN2020MD (2x2) - 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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