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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK9832-55A,115

BUK9832-55A,115

MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

NXP USA Inc.

2,661 -
BUK9832-55A,115

数据表

TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 29mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 55 V ±10V 1594 pF @ 25 V AEC-Q101 - SC-73 Automotive 8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BUK7506-55B,127

BUK7506-55B,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,119 -
BUK7506-55B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V 55 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - TO-220AB - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

5,342 -
BUK753R4-30B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 75 nC @ 10 V 30 V ±20V 4951 pF @ 25 V - - TO-220AB - 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9506-55B,127

BUK9506-55B,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

5,526 -
BUK9506-55B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 5.4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA 60 nC @ 5 V 55 V ±15V 7565 pF @ 25 V - - TO-220AB - 258W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP14NQ20T,127

PHP14NQ20T,127

MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB

NXP USA Inc.

2,429 -
PHP14NQ20T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 230mOhm @ 7A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 38 nC @ 10 V 200 V ±20V 1500 pF @ 25 V - - TO-220AB - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFZ44N,127

IRFZ44N,127

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

NXP USA Inc.

3,140 -
IRFZ44N,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 49A (Tc) 10V 22mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V 55 V ±20V 1800 pF @ 25 V - - TO-220AB - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMZB1200UPEYL

PMZB1200UPEYL

NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN

NXP Semiconductors

594,000 -
PMZB1200UPEYL

数据表

- 3-XFDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 410mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 1.2 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 43.2 pF @ 15 V - - DFN1006B-3 - 310mW (Ta), 1.67W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV100XPEA215

PMV100XPEA215

NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF

NXP Semiconductors

39,000 -
PMV100XPEA215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) - 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Surface Mount 1.25V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 386 pF @ 10 V - - SOT-23 - 463mW (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMG85XP,115

PMG85XP,115

NOW NEXPERIA PMG85XP - SMALL SIG

NXP USA Inc.

1,422,711 -
PMG85XP,115

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tj) 2.5V, 4.5V 115mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.15V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 560 pF @ 10 V - - 6-TSSOP - 375mW (Ta), 2.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMT760EN,115

PMT760EN,115

MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223

NXP USA Inc.

3,410 -
PMT760EN,115

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Ta) 4.5V, 10V 950mOhm @ 800mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 3 nC @ 10 V 100 V ±20V 160 pF @ 80 V - - SC-73 - 800mW (Ta), 6.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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