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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
TN2540N3-G

TN2540N3-G

MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3

Microchip Technology

168 -
TN2540N3-G

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 175mA (Tj) 4.5V, 10V 12Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 400 V ±20V 125 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCP87018T-U/MF

MCP87018T-U/MF

MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN

Microchip Technology

9,693 -
MCP87018T-U/MF

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 3.3V, 10V 1.9mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 37 nC @ 4.5 V 25 V +10V, -8V 2925 pF @ 12.5 V - - 8-PDFN (5x6) - 2.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TN2435N8-G

TN2435N8-G

MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA

Microchip Technology

4,978 -
TN2435N8-G

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 365mA (Tj) 3V, 10V 6Ohm @ 750mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA - 350 V ±20V 200 pF @ 25 V - - TO-243AA (SOT-89) - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP2520N8-G

TP2520N8-G

MOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA

Microchip Technology

3,522 -
TP2520N8-G

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 260mA (Tj) 4.5V, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V Surface Mount 2.4V @ 1mA - 200 V ±20V 125 pF @ 25 V - - TO-243AA (SOT-89) - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP2502N8-G

TP2502N8-G

MOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA

Microchip Technology

197 -
TP2502N8-G

数据表

- TO-243AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 630mA (Tj) 5V, 10V 2Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 2.4V @ 1mA - 20 V ±20V 125 pF @ 20 V - - TO-243AA (SOT-89) - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TN0620N3-G-P002

TN0620N3-G-P002

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Microchip Technology

6,309 -
TN0620N3-G-P002

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250mA (Tj) 5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 1.6V @ 1mA - 200 V ±20V 150 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP2540N3-G

TP2540N3-G

MOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3

Microchip Technology

998 -
TP2540N3-G

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 86mA (Tj) 4.5V, 10V 25Ohm @ 100mA, 10V Through Hole 2.4V @ 1mA - 400 V ±20V 125 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 740mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
VN2406L-G

VN2406L-G

MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3

Microchip Technology

1,271 -
VN2406L-G

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190mA (Tj) 2.5V, 10V 6Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 240 V ±20V 125 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
TP0620N3-G

TP0620N3-G

MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

Microchip Technology

791 -
TP0620N3-G

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 175mA (Tj) 5V, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V Through Hole 2.4V @ 1mA - 200 V ±20V 150 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TN2640N3-G

TN2640N3-G

MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3

Microchip Technology

167 -
TN2640N3-G

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220mA (Tj) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 2V @ 2mA - 400 V ±20V 225 pF @ 25 V - - TO-92-3 - 740mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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