富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
AUIRLR024N

AUIRLR024N

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

International Rectifier

11,025 -
AUIRLR024N

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V 55 V ±16V 480 pF @ 25 V - - DPAK - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFR4105

AUIRFR4105

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

5,362 -
AUIRFR4105

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V 55 V ±20V 700 pF @ 25 V - - DPAK - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF6811STRPBF

IRF6811STRPBF

MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT

International Rectifier

33,253 -
IRF6811STRPBF

数据表

DirectFET® DirectFET™ Isometric SQ Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta), 74A (Tc) - 3.7mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 2.1V @ 35µA 17 nC @ 4.5 V 25 V ±16V 1590 pF @ 13 V - - DirectFET™ Isometric SQ - 2.1W (Ta), 32W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
AUIRLR2703

AUIRLR2703

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

International Rectifier

4,674 -
AUIRLR2703

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) - 45mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V 30 V ±16V 450 pF @ 25 V AEC-Q101 - DPAK Automotive 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRLZ24NSTRL

AUIRLZ24NSTRL

AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

82,400 -
AUIRLZ24NSTRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 4V, 10V 60mOhm @ 11A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V 55 V ±16V 480 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFZ34N

AUIRFZ34N

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

12,129 -
AUIRFZ34N

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V 55 V ±20V 700 pF @ 25 V - - TO-220AB - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF9Z34N

AUIRF9Z34N

AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

International Rectifier

11,256 -
AUIRF9Z34N

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V 55 V ±20V 620 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

25V 999A DIRECTFET-LV

International Rectifier

3,790 -
IRF6892STRPBF

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric S3C Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Ta), 125A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 28A, 10V Surface Mount 2.1V @ 50µA 25 nC @ 4.5 V 25 V ±16V 2510 pF @ 13 V - - DIRECTFET™ S3C - 2.1W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IRF60B217

IRF60B217

TRENCH 40<-<100V

International Rectifier

3,490 -
IRF60B217

数据表

HEXFET® TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 36A, 10V Through Hole 3.7V @ 50µA 66 nC @ 10 V 60 V ±20V 2230 pF @ 25 V - - PG-TO220-3-1 - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFR5410-IR

AUIRFR5410-IR

AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

International Rectifier

1,806 -
AUIRFR5410-IR

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V 100 V ±20V 760 pF @ 25 V - - DPAK - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
共 244 条记录«上一页1234567...25下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户