富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
AUXTIFR12N25DTRR

AUXTIFR12N25DTRR

IC DISCRETE

Infineon Technologies

9,875 -
AUXTIFR12N25DTRR

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXHAFR6215

AUXHAFR6215

IC DISCRETE

Infineon Technologies

8,623 -
AUXHAFR6215

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
64-4126PBF

64-4126PBF

IC MOSFET

Infineon Technologies

3,489 -
64-4126PBF

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXDKG4PC40S-E

AUXDKG4PC40S-E

IC DISCRETE

Infineon Technologies

5,579 -
AUXDKG4PC40S-E

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AUXTALR3915

AUXTALR3915

IC DISCRETE

Infineon Technologies

7,429 -
AUXTALR3915

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-4344PBF

94-4344PBF

IC MOSFET

Infineon Technologies

2,409 -
94-4344PBF

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML5203

IRLML5203

MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

Infineon Technologies

5,954 -
IRLML5203

数据表

HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 4.5V, 10V 98mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V 30 V ±20V 510 pF @ 25 V - - Micro3™/SOT-23 - 1.25W (Ta) -
IPD050N03LGBTMA1

IPD050N03LGBTMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31

Infineon Technologies

5,422 -
IPD050N03LGBTMA1

数据表

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V 30 V ±20V 3200 pF @ 15 V - - PG-TO252-3-11 - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BSC0804LSATMA1

BSC0804LSATMA1

MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6

Infineon Technologies

8,230 -
BSC0804LSATMA1

数据表

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.3V @ 36µA 14.6 nC @ 4.5 V 100 V ±20V 2100 pF @ 50 V - - PG-TDSON-8-6 - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BSC014N06LS5ATMA1

BSC014N06LS5ATMA1

MOSFET 60V TDSON-8-7

Infineon Technologies

7,855 -
BSC014N06LS5ATMA1

数据表

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - 60 V - - - - PG-TDSON-8-7 - - -
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户