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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFC9034NB

IRFC9034NB

MOSFET 55V 19A DIE

Infineon Technologies

3,359 -
IRFC9034NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 19A 10V 100mOhm @ 19A, 10V Surface Mount - - 55 V - - - - Die - - -
IRFC120NB

IRFC120NB

MOSFET 100V 9.4A DIE

Infineon Technologies

4,280 -
IRFC120NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 9.4A - 210mOhm @ 9.4A, 10V Surface Mount - - 100 V - - - - Die - - -
IRFC130NB

IRFC130NB

MOSFET 100V 17A DIE

Infineon Technologies

9,321 -
IRFC130NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 17A 10V 90mOhm @ 17A, 10V Surface Mount - - 100 V - - - - Die - - -
IRFC250NB

IRFC250NB

MOSFET 200V DIE

Infineon Technologies

7,766 -
IRFC250NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - 200 V - - - - Die - - -
IRFC5210B

IRFC5210B

MOSFET 100V 40A DIE

Infineon Technologies

8,865 -
IRFC5210B

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 40A 10V 60mOhm @ 40A, 10V Surface Mount - - 100 V - - - - Die - - -
IRFC5305B

IRFC5305B

MOSFET 55V 31A DIE

Infineon Technologies

3,031 -
IRFC5305B

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 31A 10V 60mOhm @ 31A, 10V Surface Mount - - 55 V - - - - Die - - -
IRFC9140NB

IRFC9140NB

MOSFET 100V 23A DIE

Infineon Technologies

2,561 -
IRFC9140NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 23A 10V 117mOhm @ 23A, 10V Surface Mount - - 100 V - - - - Die - - -
IRFC9120NB

IRFC9120NB

MOSFET 100V 6.6A DIE

Infineon Technologies

9,712 -
IRFC9120NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 6.6A 10V 480mOhm @ 6.6A, 10V Surface Mount - - 100 V - - - - Die - - -
IRFC024NB

IRFC024NB

MOSFET 55V 17A DIE

Infineon Technologies

6,877 -
IRFC024NB

数据表

HEXFET® Die Bulk Obsolete - MOSFET (Metal Oxide) 17A 10V 75mOhm @ 17A, 10V Surface Mount - - 55 V - - - - Die - - -
SPN01N60C3

SPN01N60C3

MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4

Infineon Technologies

7,126 -
SPN01N60C3

数据表

CoolMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Ta) 10V 6Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3.7V @ 250µA 5 nC @ 10 V 650 V ±20V 100 pF @ 25 V - - PG-SOT223-4 - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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