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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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94-2503PBF

94-2503PBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Infineon Technologies

6,986 -
94-2503PBF

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
94-4849PBF

94-4849PBF

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

Infineon Technologies

2,897 -
94-4849PBF

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFC4310EF

IRFC4310EF

MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM

Infineon Technologies

7,525 -
IRFC4310EF

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPB45N06S409ATMA2

IPB45N06S409ATMA2

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

Infineon Technologies

2,935 -
IPB45N06S409ATMA2

数据表

OptiMOS™ T2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 4V @ 34µA 47 nC @ 10 V 60 V ±20V 3785 pF @ 25 V AEC-Q101 - PG-TO263-3-2 Automotive 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Infineon Technologies

6,099 -
IPB80N06S4L05ATMA2

数据表

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 2.2V @ 60µA 110 nC @ 10 V 60 V ±16V 8180 pF @ 25 V AEC-Q101 - PG-TO263-3-2 Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPP80N06S407AKSA2

IPP80N06S407AKSA2

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Infineon Technologies

3,690 -
IPP80N06S407AKSA2

数据表

OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V Through Hole 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V 60 V ±20V 4500 pF @ 25 V AEC-Q101 - PG-TO220-3-1 Automotive 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPS70R950CEAKMA1

IPS70R950CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251

Infineon Technologies

5,290 -
IPS70R950CEAKMA1

数据表

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V Through Hole 3.5V @ 150µA 15.3 nC @ 10 V 700 V ±20V 328 pF @ 100 V - - PG-TO251-3-11 - 68W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IPS70R2K0CEAKMA1

IPS70R2K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

Infineon Technologies

9,654 -
IPS70R2K0CEAKMA1

数据表

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 1A, 10V Through Hole 3.5V @ 70µA 7.8 nC @ 10 V 700 V ±20V 163 pF @ 100 V - - PG-TO251-3-11 - 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
AUIRF1324STRL7P

AUIRF1324STRL7P

MOSFET N-CH 24V 340A D2PAK

Infineon Technologies

3,265 -
AUIRF1324STRL7P

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 340A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 195A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V 24 V ±20V 7590 pF @ 24 V AEC-Q101 - PG-TO263-3 Automotive 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRLS8409-7TRL

AUIRLS8409-7TRL

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

9,364 -
AUIRLS8409-7TRL

数据表

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240A (Tc) 4.5V, 10V 0.75mOhm @ 100A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 266 nC @ 4.5 V 40 V ±16V 16488 pF @ 25 V - - PG-TO263-7 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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