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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRL3102STRLPBF

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MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

Infineon Technologies

5,621 -
IRL3102STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 61A (Tc) 4.5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V Surface Mount 700mV @ 250µA (Min) 58 nC @ 4.5 V 20 V ±10V 2500 pF @ 15 V - - D2PAK - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL5602STRLPBF

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MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

9,663 -
IRL5602STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1460 pF @ 15 V - - D2PAK - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF3707STRLPBF

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MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

Infineon Technologies

5,454 -
IRF3707STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1990 pF @ 15 V - - D2PAK - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF5800TRPBF

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MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6

Infineon Technologies

4,281 -
IRF5800TRPBF

数据表

HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 17 nC @ 10 V 30 V ±20V 535 pF @ 25 V - - Micro6™(TSOP-6) - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLR4343TRPBF

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MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

Infineon Technologies

3,041 -
IRLR4343TRPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 42 nC @ 10 V 55 V ±20V 740 pF @ 50 V - - TO-252AA (DPAK) - 79W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ)
IRF5804TRPBF

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MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6

Infineon Technologies

8,365 -
IRF5804TRPBF

数据表

HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A (Ta) 4.5V, 10V 198mOhm @ 2.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V 40 V ±20V 680 pF @ 25 V - - Micro6™(TSOP-6) - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF3709STRLPBF

IRF3709STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

Infineon Technologies

6,703 -
IRF3709STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V 30 V ±20V 2672 pF @ 16 V - - D2PAK - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL3502STRLPBF

IRL3502STRLPBF

MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Infineon Technologies

6,418 -
IRL3502STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V Surface Mount 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V 20 V ±10V 4700 pF @ 15 V - - D2PAK - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF3315STRLPBF

IRF3315STRLPBF

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Infineon Technologies

9,984 -
IRF3315STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V 150 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFS17N20DTRLP

IRFS17N20DTRLP

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

Infineon Technologies

4,667 -
IRFS17N20DTRLP

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V Surface Mount 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V 200 V ±30V 1100 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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