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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRL1004STRLPBF

IRL1004STRLPBF

MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

Infineon Technologies

2,185 -
IRL1004STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 130A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 100 nC @ 4.5 V 40 V ±16V 5330 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF6217TRPBF

IRF6217TRPBF

MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO

Infineon Technologies

2,681 -
IRF6217TRPBF

数据表

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700mA (Ta) 10V 2.4Ohm @ 420mA, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 9 nC @ 10 V 150 V ±20V 150 pF @ 25 V - - 8-SO - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL3713STRLPBF

IRL3713STRLPBF

MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK

Infineon Technologies

4,852 -
IRL3713STRLPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 260A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 38A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 110 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 5890 pF @ 15 V - - D2PAK - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFR3708TRPBF

IRFR3708TRPBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Infineon Technologies

6,217 -
IRFR3708TRPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 61A (Tc) 2.8V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 2417 pF @ 15 V - - TO-252AA (DPAK) - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFR3704ZTRPBF

IRFR3704ZTRPBF

MOSFET N-CH 20V 60A DPAK

Infineon Technologies

6,528 -
IRFR3704ZTRPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.55V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V 20 V ±20V 1190 pF @ 10 V - - TO-252AA (DPAK) - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFR13N15DTRPBF

IRFR13N15DTRPBF

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Infineon Technologies

3,990 -
IRFR13N15DTRPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.3A, 10V Surface Mount 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V 150 V ±30V 620 pF @ 25 V - - TO-252AA (DPAK) - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF7604TRPBF

IRF7604TRPBF

MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8

Infineon Technologies

6,369 -
IRF7604TRPBF

数据表

HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 2.7V, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V Surface Mount 700mV @ 250µA (Min) 20 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 590 pF @ 15 V - - Micro8™ - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLR3802TRPBF

IRLR3802TRPBF

MOSFET N-CH 12V 84A DPAK

Infineon Technologies

9,872 -
IRLR3802TRPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 84A (Tc) 2.8V, 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V Surface Mount 1.9V @ 250µA 41 nC @ 5 V 12 V ±12V 2490 pF @ 6 V - - TO-252AA (DPAK) - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF7601TRPBF

IRF7601TRPBF

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

Infineon Technologies

4,254 -
IRF7601TRPBF

数据表

HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Surface Mount 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 650 pF @ 15 V - - Micro8™ - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF7607TRPBF

IRF7607TRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8

Infineon Technologies

5,655 -
IRF7607TRPBF

数据表

HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 22 nC @ 5 V 20 V ±12V 1310 pF @ 15 V - - Micro8™ - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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