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Infineon Technologies IRF7752
- 零件号:
- IRF7752
- 封装:
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 数据表:
-
IRF7752.pdf
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
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IRF7752 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Infineon Technologies
- 系列:
- HEXFET®
- 封装/外壳:
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- 包装:
- Tube
- 产品状态:
- Obsolete
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:
- 2 N-Channel (Dual)
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 30V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 4.6A
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 30mOhm @ 4.6A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 2V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 9nC @ 4.5V
- FET 特性:
- Logic Level Gate
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 861pF @ 25V
- 功率 - 最大值:
- 1W
- 供应商设备封装:
- 8-TSSOP
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 安装类型:
- Surface Mount
- 等级:
- -
- 认证:
- -
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| 零件号 | IRF7752 | IRF7752TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 包装 | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Obsolete | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 30V | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 4.6A | 4.6A |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.6A, 10V | 30mOhm @ 4.6A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 9nC @ 4.5V | 9nC @ 4.5V |
| FET 特性 | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 861pF @ 25V | 861pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1W | 1W |
| 供应商设备封装 | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| 等级 | - | - |
| 认证 | - | - |
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