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Diodes Incorporated DMC3400SDW-13
- 零件号:
- DMC3400SDW-13
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 封装:
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 数据表:
-
DMC3400SDW-13.pdf
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
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产品详情
DMC3400SDW-13 - Diodes N+P 沟道互补 MOSFET 对(30V/-30V,ESD 保护栅,SOT-363)
达尔(Diodes Incorporated)的 DMC3400SDW-13 是一对互补增强型 MOSFET--30V N 沟道(0.65A,VGS=10V 时最大 0.4Ω)与 -30V P 沟道(-0.45A,VGS=-10V 时最大 0.9Ω)--集成于一颗超小 SOT-363 封装.栅极带 ESD 保护,输入电容低\开关速度快,面向电机控制\电源管理与 DC-DC 功能,把元件数量减半;后缀 -13 为 10000 只卷带.
产品简介
DMC3400SDW-13 在一个 6 脚 SOT-363(SC-70-6)外形内集成两颗极性相反\彼此独立的增强型 MOSFET：Q1 为 30V N 沟道,额定 0.65A;Q2 为 -30V P 沟道,额定 -0.45A.与两颗分立晶体管相比,互补对单封装方案在推挽\电平转换和负载开关电路中把贴装点位和板面积都减少一半.
该对管在保持优秀开关性能的同时尽量降低导通电阻：N 管在 VGS=10V 时最大 0.4Ω(4.5V 时 0.7Ω),P 管在 VGS=-10V 时最大 0.9Ω(-4.5V 时 1.7Ω),两管都能直接由逻辑电平轨驱动.两管栅源电压均耐受 ±20V,阈值分别为 0.8~1.6V(N)与 -0.8~-2.6V(P).
两个栅极均带 ESD 保护,这对小尺寸 MOSFET 在装配和现场操作中的可靠性是切实的保障.两颗管子电气上完全独立--漏\栅\源分别引出并分列封装对角,电路拓扑完全由设计者决定.器件完全无铅\无卤素无锑("Green"),模塑料 UL 94V-0,并提供符合 AEC-Q100/101/104/200 的车规制造选项,满足汽车级采购需求.
专家技术洞察
为什么用互补 MOSFET 对,而不是两颗分立管?
- 点位减半\天然配对：一颗 SOT-363 顶替推挽驱动\互补电平转换\高低边负载开关里的两个 SOT-23 封装,节省板面积与贴片成本,且两颗芯片共享同一热环境.
- 逻辑电平直驱：RDS(on) 在 ±4.5V 栅压下即有规格,两管由 5V 逻辑即可充分导通;±20V 的 VGS 耐压对栅极过冲和振铃留足裕量.
- ESD 保护栅极：内置栅极保护降低了小尺寸 MOSFET 著名的静电损伤风险,无需外接稳压管即可提升装配良率.
核心优势
30V N 沟道与 -30V P 沟道合封 6 脚,推挽与负载开关电路元件数减半.
N 管 10V 栅压最大 0.4Ω(4.5V 时 0.7Ω);P 管 -10V 最大 0.9Ω(-4.5V 时 1.7Ω),逻辑轨直接驱动.
两管栅极内置 ESD 保护,提升操作与装配可靠性.
低输入电容\开关速度快,适合 PWM 驱动;提供 AEC-Q 车规制造选项.
技术规格
| 参数 | Q1 - N 沟道 | Q2 - P 沟道 |
|---|---|---|
| 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 30 V | -30 V |
| 连续漏极电流 ID(25°C) | 0.65 A | -0.45 A |
| 脉冲漏极电流 IDM | 4 A | -3 A |
| RDS(on) 最大值 @ VGS=±10V | 0.4 Ω | 0.9 Ω |
| RDS(on) 最大值 @ VGS=±4.5V | 0.7 Ω | 1.7 Ω |
| 栅源电压 VGS | ±20 V | ±20 V |
| 阈值电压 VGS(th) | 0.8 ~ 1.6 V | -0.8 ~ -2.6 V |
| 体二极管 VSD 典型值 | 0.8 V | -0.8 V |
| 栅极保护 | 两管栅极均 ESD 保护 | |
| 功耗 / RθJA | 总 0.31 W / 406 °C/W | |
| 结温范围 | -55 ~ +150 °C | |
| 封装 | SOT-363(SC-70-6),-13 = 10000 只卷带 | |
注：完整电气参数与曲线请参阅 Diodes Incorporated 官方数据手册.规格如有变更恕不另行通知,最终设计前请核实所有参数.
封装信息
DMC3400SDW-13 采用 SOT-363(SC-70-6)模塑封装--6 引脚贴片外形,本体约 2.0mm x 1.25mm\重约 0.027g,内含两颗 MOSFET 芯片.模塑料为"Green"环保材质,UL 94V-0,引脚镀层 NiPdAu 覆铜,可焊性符合 MIL-STD-202 Method 208.
湿敏等级 MSL Level 1(J-STD-020),无干燥包装的使用限制.订货后缀 -13 表示 7 英寸卷带 10000 只装,适合自动化 SMT 贴装;器件完全无铅\符合 RoHS,无卤素无锑.
引脚配置(SOT-363)
两颗 MOSFET 独立引出\分列对角(俯视图,Pin 1 由圆点标识)：
- Pin 1 - S1：Q1(N 沟道)源极.
- Pin 2 - G1：Q1(N 沟道)栅极.
- Pin 3 - D2：Q2(P 沟道)漏极.
- Pin 4 - S2：Q2(P 沟道)源极.
- Pin 5 - G2：Q2(P 沟道)栅极.
- Pin 6 - D1：Q1(N 沟道)漏极.
即 Q1(N 管)占用 1-2-6 脚,Q2(P 管)占用 3-4-5 脚;两个漏极内部不相连,拓扑自由.布局前请对照下方数据手册图核实确切引脚分配.
可替代型号
下列互补 MOSFET 对仅供参考.替代前请核实电压\电流\RDS(on)\栅极额定值与引脚排布.
| 型号 | 品牌 | 类型 | 封装 | 主要特点 |
|---|---|---|---|---|
| DMC3401LSDW-13 | Diodes | 互补 N+P,30V/-30V | SOT-363 | 同家族逻辑电平版本 |
| DMC3071LSDW-13 | Diodes | 互补 N+P,30V/-30V | SOT-363 | 更低导通电阻选项 |
| IRLMS6702 + IRLMS1902 | Infineon | 分立 P + N 配对 | SOT-23 x2 | 双封装分立等效方案 |
| SI1029X-T1-GE3 | Vishay | 互补 N+P 对 | SC-89-6 | 紧凑替代对管 |
制造商信息
Diodes Incorporated(达尔科技,NASDAQ: DIOD)总部位于美国德克萨斯州普莱诺,是分立\逻辑与模拟半导体的领先供应商,在小信号 MOSFET\二极管和封装小型化方面尤为见长.其互补 MOSFET 对广泛应用于消费\工业与汽车电子,DMC 家族提供 AEC 认证制造流程,并拥有 IATF 16949 认证工厂.
Diodes 提供完整数据手册\可按需提供 PPAP 与长期供货,在中国设有授权分销与技术支持渠道,支持从样品到批量的各类项目.
应用领域
常见问题
DMC3400SDW-13 用于什么?
DMC3400SDW-13 是互补 N+P MOSFET 对,用于负载开关\推挽驱动\电平转换\小电机控制与电源管理功能,以一颗 SOT-363 顶替两颗分立晶体管.
内部两颗 MOSFET 相互连接吗?
不连接.Q1(N 沟道,1-2-6 脚)与 Q2(P 沟道,3-4-5 脚)完全独立,源\栅\漏分别引出,外部可接任意拓扑.
DMC3400SDW 能用 5V 逻辑驱动吗?
可以.RDS(on) 在 VGS=±4.5V 即有规格(N 管最大 0.7Ω/P 管 1.7Ω),5V 轨即可充分导通;阈值电压分别为 0.8~1.6V 与 -0.8~-2.6V.
DMC3400SDW-13 是什么封装?-13 代表什么?
封装为 SOT-363(SC-70-6),6 引脚,本体约 2.0mm x 1.25mm.后缀 -13 表示 7 英寸卷带 10000 只装.
免责声明
信息准确性：本页技术规格基于 Diodes Incorporated 官方数据手册.我们力求准确完整,但规格如有变更恕不另行通知.最终设计前请核实所有参数.
正品保证：我们保证所售产品均为原厂正品,具备完整的物料可追溯性.
技术支持：购买前后均提供免费技术咨询服务.
应用提示：本产品页仅供参考,是否适用于特定应用应由设计工程师根据实际系统需求自行确认.
DMC3400SDW-13 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Diodes Incorporated
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:
- N and P-Channel
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 30V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 650mA, 450mA
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 400mOhm @ 590mA, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 1.6V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 1.4nC @ 10V
- FET 特性:
- -
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 55pF @ 15V
- 功率 - 最大值:
- 310mW
- 供应商设备封装:
- SOT-363
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 安装类型:
- Surface Mount
- 等级:
- -
- 认证:
- -
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| 图片 |  |
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| 零件号 | DMC3400SDW-7 | DMC3400SDW-13 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 系列 | - | - |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 包装 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 配置 | N and P-Channel | N and P-Channel |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 30V | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 650mA, 450mA | 650mA, 450mA |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 400mOhm @ 590mA, 10V | 400mOhm @ 590mA, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 1.6V @ 250µA | 1.6V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 1.4nC @ 10V | 1.4nC @ 10V |
| FET 特性 | - | - |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 55pF @ 15V | 55pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 310mW | 310mW |
| 供应商设备封装 | SOT-363 | SOT-363 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount | Surface Mount |
| 等级 | - | - |
| 认证 | - | - |
DMC3400SDW-13 相关信息
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