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Texas Instruments 1P1G14MDBVREP

对比

零件号:: 1P1G14MDBVREP

制造商:: Texas Instruments

分类:: 门电路和反向器

封装:: SC-74A, SOT-753

数据表:: 1P1G14MDBVREP.pdf

描述:: IC INVERTER 1CH 1-INP SOT23-5

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产品详情

1P1G14MDBVREP(Texas Instruments SN74LVC1G14-EP)- Enhanced-Product 单路施密特触发器反相器,SOT-23-5

1P1G14MDBVREP 是 InFortune 对 Texas Instruments SN74LVC1G14-EP 的订货代码,这是一款依照 TI Enhanced-Product(EP)计划(受控基线,扩展温度范围 −55 °C 至 +125 °C)设计的单路施密特触发器反相器.其真正的输入迟滞特性可将缓慢\噪声大或圆滑的边沿转换为一个干净\快速的逻辑跳变(Y = NOT A).工作电压 1.65 V 至 5.5 V,具备 5.5 V 容限输入,在 3.3 V 下驱动能力达 ±24 mA,支持 I_off,采用 5 引脚 SOT-23(DBV)封装.

产品介绍

SN74LVC1G14-EP 是一款单门施密特触发器反相器：对输入取反(Y = NOT A),但与普通反相器不同,它具有真正的施密特触发器输入,带有独立的正向(V_T+)和负向(V_T−)阈值.该迟滞特性--在 3.3 V 下宽约 0.56 V--意味着即使输入信号缓慢\有噪声或存在振铃,也只会产生一个干净\快速的输出跳变,而不会产生多次毛刺.

这使其成为信号调理的标准工具：整形 RC 延迟的输出波形\清理缓慢的传感器或开关边沿\恢复退化的时钟信号,以及在逻辑链入口处提供抗噪能力.由于是 SOT-23 封装的单门器件,可以直接在噪声信号进入电路板的位置发挥作用.

本订购选项为 "-EP" Enhanced Product：受控基线(单一晶圆厂,单一组装/测试厂)\DMS 支持\变更通知及扩展温度范围 −55 °C 至 +125 °C.电气性能上是完整的 LVC 门电路--1.65 V 至 5.5 V\5.5 V 容限输入\±24 mA 驱动能力\I_off 部分断电--适用于需要在整个温度范围内持续整形信号的苛刻\长寿命设备.

专家技术洞察

充分发挥施密特触发器反相器的性能：

迟滞是核心所在： V_T+ 与 V_T− 之间的差值(3.3 V 下约 0.56 V)决定了输入能够抑制多大幅度的噪声.信号必须越过 V_T+ 才能使输出翻转,低于 V_T− 才能使其复位,因此幅度小于迟滞窗口的噪声不会造成误翻转.
可容忍任意缓慢的边沿： 与普通反相器(或"Schmitt-action"型 AHC1G04)不同,真正的施密特触发器对输入上升/下降时间没有上限限制--非常适合 RC 斜坡和低速传感器线路.
EP 级在全温度范围内保持可靠： −55 °C 至 +125 °C 受控基线认证确保阈值和时序在苛刻的长期部署设备中符合规格,而不仅仅是在室温下.

主要优势

真正的施密特触发器迟滞

独立的 V_T+/V_T− 阈值(3.3 V 下约 0.56 V)抑制噪声,将缓慢或振铃边沿整形为一个干净的跳变.

Enhanced-Product,−55 °C 至 +125 °C

受控基线\DMS 支持及扩展温度范围,适用于长寿命\苛刻环境设备.

宽范围 1.65–5.5 V,±24 mA

LVC 供电范围,5.5 V 容限输入,强驱动能力,适用于混合电源轨信号调理.

I_off 部分断电

断电后输出禁止,防止电流反向流入仍带电的下游节点.

技术规格

参数	值	条件 / 备注
器件类型	单路施密特触发器反相器(Enhanced Product)	单通道;LVC 系列
制造商	Texas Instruments	SN74LVC1G14-EP(数据手册 SCES674)
逻辑功能	Y = NOT A	真正的施密特触发器输入
EP 级别	受控基线;M 温度等级	DMS 支持;变更通知
输入迟滞(V_T+ − V_T−)	≈ 0.56 V 典型值(3.3 V 时)	V_T+ ≈ 1.5 V,V_T− ≈ 0.84 V(3 V 时)
供电电压(V_CC)	1.65 V 至 5.5 V	数据保持至 1.5 V
输入容限	最高 5.5 V	输入可接受高于 V_CC 的电压
输出驱动(I_OH/I_OL)	±24 mA(3.3 V 时)	±32 mA(4.5 V 时)
传播延迟(t_pd)	4.6 ns 最大值(3.3 V 时)	C_L = 15 pF;5 V 时约 4.4 ns
I_off(部分断电)	±10 µA 最大值	V_I/V_O = 5.5 V,V_CC = 0
静态电流(I_CC)	10 µA 最大值	M 温度全范围内最高约 19 µA
输入电容(C_i)	4.5 pF 典型值	V_CC = 3.3 V
ESD(HBM / MM / CDM)	2000 V / 200 V / 1000 V	超过 JESD22 标准
工作温度(T_A)	−55 °C 至 +125 °C	M 温度等级(EP)
封装	5 引脚 SOT-23(DBV)	订货型号 SN74LVC1G14MDBVREP

备注： 数值来源于 Texas Instruments SN74LVC1G14-EP 数据手册(SCES674).我们力求信息准确完整,但规格如有变更恕不另行通知.在设计定稿前,请对照最新数据手册核实所有参数,尤其是随温度变化的阈值和时序参数.

封装信息

本订购选项(MDBVREP)的 SN74LVC1G14-EP 采用 DBV 5 引脚 SOT-23 封装(JEDEC MO-178,最大高度 1.45 mm,本体约 2.9 mm × 1.6 mm).坚固的 SOT-23 外形适用于 EP 级别所针对的苛刻环境电路板,与无引线封装相比,引脚更易于检查和返修.卷带包装供货.

下方尺寸图给出了 SOT-23-5 本体和引脚几何形状,供焊盘图形和组装钢网设计参考.

引脚配置(SOT-23-5)

单路反相器对应五个引脚(俯视图)：

引脚 1 – NC： 无内部连接;悬空或连接到平面以提供机械支撑.
引脚 2 – A(输入)： 施密特触发器逻辑输入;5.5 V 容限;可接受缓慢/噪声边沿.
引脚 3 – GND： 地(0 V)参考.
引脚 4 – Y(输出)： 反相输出,Y = NOT A;3.3 V 下驱动 ±24 mA.
引脚 5 – V_CC： 电源,1.65 V 至 5.5 V;使用就近 0.1 µF 电容进行去耦.

替代型号

最接近的替代器件是其他单路施密特触发器门电路.SN74LVC1G17 是对应的同相施密特触发器(Y = A);在不需要反相的情况下进行边沿整形时使用.替换前请确认反相与同相的区别以及温度等级.

型号	品牌	功能	封装	备注
1P1G14MDBVREPG4	Texas Instruments	施密特反相器(EP)	SOT-23-5	相同器件,无铅(G4)订购
SN74LVC1G17MDBVREP	Texas Instruments	施密特缓冲器(同相),EP	SOT-23-5	同相施密特对应品,相同 EP 等级
SN74LVC1G17DBVRG4	Texas Instruments	施密特缓冲器(同相)	SOT-23-5	商业级 LVC 施密特缓冲器
SN74AUP1G17DBVRG4	Texas Instruments	施密特缓冲器(同相)	SOT-23-5	超低功耗 AUP 系列

逻辑系列对比

系列	供电范围	定位	适用场景
LVC-EP(本品)	1.65–5.5 V	宽供电,5 V 容限,−55/+125 °C	苛刻环境信号调理
AHC	2–5.5 V	通用(Schmitt-action)	基本 5 V/3.3 V 整形
AUP	0.8–3.6 V	超低功耗	电池/便携设备
AUC	0.8–2.7 V	超高速	低于 2 V 核心逻辑

制造商信息

Texas Instruments(TI,NASDAQ: TXN)总部位于德克萨斯州达拉斯,是领先的逻辑器件供应商;其 LVC 施密特触发器单门器件(反相型 '14 和同相型 '17)是信号调理的标准工具,Enhanced-Product(EP)变种则为长期项目增加了扩展温度\受控基线的品质保障.

权威文件为 SN74LVC1G14-EP 数据手册(SCES674),定义了施密特阈值\I_off 特性\M 温度时序和 DBV 封装.InFortune Electronics 以型号 1P1G14MDBVREP 供应该器件,并提供采购和技术支持.

应用领域

工业自动化

清理噪声现场信号和缓慢传感器边沿

典型案例： 工厂输入卡将缓慢\电气噪声大的现场信号经施密特触发器反相器处理,其迟滞特性抑制噪声,在 −55 °C 至 +125 °C 全温度范围内向控制器输出一个干净的逻辑边沿.

汽车电子

车辆模块中的边沿整形与噪声抑制

典型案例： 模块用施密特触发器反相器对缓慢的唤醒或车门检测输入进行整形,使下游逻辑在噪声线上看到一个干净的跳变,而非抖动信号.

能源与电源系统

调理缓慢的比较器和反馈边沿

典型案例： 在电源装置中,施密特触发器反相器将 RC 网络或比较器的缓慢输出整形为干净的时钟/使能边沿,避免在阈值附近发生多次触发.

通信基础设施

恢复退化的时钟和控制边沿

典型案例： 室外无线单元使用 EP 施密特触发器反相器恢复经长走线劣化的控制边沿,在多年部署周期中保持时序精度不受宽温度变化的影响.

常见问题(FAQ)

施密特触发器输入有什么作用?

它增加了输入迟滞：独立的正向和负向触发阈值(3.3 V 下相差约 0.56 V).因此,缓慢\噪声大或振铃的输入会产生一个干净\快速的输出跳变,而不是多次毛刺--非常适合对现实世界信号进行调理.

这是真正的施密特触发器,还是仅具有 Schmitt-action?

这是真正的施密特触发器--对输入上升/下降时间没有上限限制,可处理任意缓慢的斜坡信号.(这比 SN74AHC1G04 等器件的"Schmitt-action"更强,后者仍对边沿速率有限制.)

"-EP"标识增加了哪些特性?

Enhanced Product：受控基线(单一晶圆厂,单一组装/测试厂)\DMS 支持\变更通知以及 −55 °C 至 +125 °C 的扩展认证--适用于长寿命\苛刻环境设备.

是否有同相版本?

有--SN74LVC1G17 是同相施密特触发器缓冲器(Y = A);当需要相同的边沿整形功能但不需要逻辑反相时使用.

免责声明

信息准确性： 本页面的技术规格基于 Texas Instruments SN74LVC1G14-EP 数据手册(SCES674).我们力求信息准确完整,但规格如有变更恕不另行通知.

产品正品保证： 我们保证所有产品均为具备完整材料可追溯性的原厂正品.

技术支持： 购买前后均可享受免费技术咨询服务.

应用说明： 本产品页面仅供参考.特定应用的适用性应由设计工程师根据实际系统需求自行核实.

1P1G14MDBVREP 规格

规格
常见问题

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图片
零件号	1P1G14MDBVREPG4	1P1G14MDBVREP
制造商	Texas Instruments	Texas Instruments
系列	74LVC	74LVC
封装/外壳	SC-74A, SOT-753	SC-74A, SOT-753
包装	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
产品状态	Discontinued at Digi-Key	Active
逻辑类型	Inverter	Inverter
电路数量	1	1
特性	Schmitt Trigger	Schmitt Trigger
电压 - 电源	1.65V ~ 5.5V	1.65V ~ 5.5V
电流 - 静态电流（最大值）	19 µA	19 µA
电流 - 输出高、低	32mA, 32mA	32mA, 32mA
输入逻辑电平 - 低	0.39V ~ 1.87V	0.39V ~ 1.87V
输入数量	1	1
输入逻辑电平 - 高	1.16V ~ 3.33V	1.16V ~ 3.33V
最大传播延迟 @ V，最大负载电容	5ns @ 5V, 50pF	5ns @ 5V, 50pF
供应商设备封装	SOT-23-5	SOT-23-5
工作温度	-55°C ~ 125°C	-55°C ~ 125°C
安装类型	Surface Mount	Surface Mount
等级	-	-
认证	-	-

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