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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

DIODE GP 1.2KV 30A TO220

Microchip Technology

460 -
APT30DQ120KG

数据表

- TO-220-3 Tube Active Standard 1200 V 3.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 320 ns 100 µA @ 1200 V - 30A - - Through Hole TO-220 [K] -55°C ~ 175°C
HSM560JE3/TR13

HSM560JE3/TR13

DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AB

Microchip Technology

5,914 -
HSM560JE3/TR13

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 650 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 250 µA @ 60 V - 5A - - Surface Mount DO-214AB -55°C ~ 175°C
1N4153UR-1

1N4153UR-1

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA

Microchip Technology

796 -
1N4153UR-1

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 50 V - Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 50 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 150mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
APT100DL60BG

APT100DL60BG

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Microchip Technology

5,848 -
APT100DL60BG

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.6 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - 100A - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
APT15DQ60BG

APT15DQ60BG

DIODE GP 600V 15A TO247

Microchip Technology

300 -
APT15DQ60BG

数据表

- TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 2.4 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 19 ns 25 µA @ 600 V - 15A - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
APT30DQ100BG

APT30DQ100BG

DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247

Microchip Technology

651 -
APT30DQ100BG

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 295 ns 100 µA @ 1000 V - 30A - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
DSB1A20

DSB1A20

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL

Microchip Technology

9,411 -
DSB1A20

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 20 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - 1A - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB1A30

DSB1A30

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

Microchip Technology

6,717 -
DSB1A30

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 30 V - 1A - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB1A50

DSB1A50

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL

Microchip Technology

3,352 -
DSB1A50

数据表

- DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 50 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 50 V - 1A - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB2810

DSB2810

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Microchip Technology

2,609 -
DSB2810

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 410 mV @ 1 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 100 nA @ 15 V 2pF @ 0V, 1MHz 75mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
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