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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N3649

1N3649

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,895 -
1N3649

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 800 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3649R

1N3649R

DIODE GEN PURP 800V DO203AA

Microchip Technology

7,920 -
1N3649R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 800 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - - - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
1N3650

1N3650

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

5,917 -
1N3650

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1000 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - 3.3A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N3650R

1N3650R

DIODE GEN PURP DO203AA

Microchip Technology

3,827 -
1N3650R

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 1000 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V - 3.3A - - Stud Mount DO-203AA (DO-4) -
1N5331

1N5331

DIODE GEN PURP 1.4KV 22A DO4

Microchip Technology

7,427 -
1N5331

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 1400 V 1.2 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 1400 V - 22A - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 200°C
JAN1N5712UB

JAN1N5712UB

DIODE SCHOTTKY UB

Microchip Technology

4,990 -
JAN1N5712UB

数据表

- 4-SMD, No Lead Bulk Active Schottky - 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - 2pF @ 0V, 1MHz - Military MIL-PRF-19500/444 Surface Mount UB 150°C (Max)
JANTXV1N483B

JANTXV1N483B

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Microchip Technology

5,724 -
JANTXV1N483B

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 70 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 60 V - 200mA Military MIL-PRF-19500/118 Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
JAN1N1128RA

JAN1N1128RA

RECTIFIER

Microchip Technology

8,422 -
JAN1N1128RA

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 600 V - - Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JAN1N6491

JAN1N6491

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

6,938 -
JAN1N6491

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 600 V 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - 400mA Military MIL-PRF-19500/406 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JAN1N6492

JAN1N6492

DIODE SCHOTTKY 45V 3A TO39

Microchip Technology

7,426 -
JAN1N6492

数据表

- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Bulk Active Schottky 45 V 680 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 mA @ 45 V 450pF @ 5V, 1MHz 3A Military MIL-PRF-19500/567 Through Hole TO-39 (TO-205AD) -65°C ~ 175°C
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