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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点
UES1305E3

UES1305E3

DIODE GEN PURP 300V 3A B AXIAL

Microchip Technology

3,797 -
UES1305E3

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 300 V - 3A - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 150°C
UES1305

UES1305

DIODE GEN PURP 300V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,535 -
UES1305

数据表

- B, Axial Bulk Active Standard 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 300 V - 3A - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 150°C
JAN1N1124A

JAN1N1124A

DIODE GEN PURP 200V DO203AA

Microchip Technology

6,647 -
JAN1N1124A

数据表

- DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V - - Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTX1N3168

JANTX1N3168

DIODE GP 400V 300A DO205AB DO9

Microchip Technology

8,733 -
JANTX1N3168

数据表

- DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 400 V 1.55 V @ 940 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 400 V - 300A Military MIL-PRF-19500/211 Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C
UES1303/TR

UES1303/TR

DIODE GEN PURP 150V 6A

Microchip Technology

3,763 -
UES1303/TR

数据表

- B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 150 V 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V - 6A - - Through Hole B, Axial 175°C (Max)
UES1305E3/TR

UES1305E3/TR

DIODE GP REV 300V 3A B AXIAL

Microchip Technology

3,083 -
UES1305E3/TR

数据表

- B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard, Reverse Polarity 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 300 V - 3A - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 150°C
JANHCB2N5415

JANHCB2N5415

BJT TRANSISTOR

Microchip Technology

4,494 -
JANHCB2N5415

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JANHCB2N5416

JANHCB2N5416

BJT TRANSISTOR

Microchip Technology

6,352 -
JANHCB2N5416

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1305/TR

UES1305/TR

DIODE GP REV 300V 3A B AXIAL

Microchip Technology

4,325 -
UES1305/TR

数据表

- B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard, Reverse Polarity 300 V 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 20 µA @ 300 V - 3A - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 150°C
1N6700US

1N6700US

DIODE SCHOTTKY 20V 5A D-5C

Microchip Technology

2,798 -
1N6700US

数据表

- SQ-MELF, C Bulk Active Schottky 20 V 470 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 20 V - 5A - - Surface Mount D-5C -65°C ~ 125°C
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