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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N6663US

1N6663US

DIODE GEN PURP 600V 500MA D-5A

Microchip Technology

1 -
1N6663US

数据表

- SQ-MELF, A Bulk Active Standard 600 V 1 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - 500mA - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
USD245

USD245

RECTIFIER

Microchip Technology

9,017 -
USD245

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JAN1N5194/TR

JAN1N5194/TR

DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Microchip Technology

7,599 -
JAN1N5194/TR

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 70 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1.25 mA @ 80 V - 200mA Military MIL-PRF-19500/118 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 170°C
JANTX1N6642UB

JANTX1N6642UB

DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Microchip Technology

8,942 -
JANTX1N6642UB

数据表

- 3-SMD, No Lead Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V - 300mA Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount UB -65°C ~ 175°C
1N6701

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DIODE SCHOTTKY

Microchip Technology

6,746 -
1N6701

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6702

1N6702

DIODE SCHOTTKY 40V 5A AXIAL

Microchip Technology

3,986 -
1N6702

数据表

- Axial Bulk Active Schottky 40 V 470 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 40 V - 5A - - Through Hole Axial -65°C ~ 125°C
JAN1N6078

JAN1N6078

DIODE GEN PURP 150V 1.3A E-PAK

Microchip Technology

5,693 -
JAN1N6078

数据表

- E, Axial Bulk Active Standard 150 V 1.76 V @ 18.8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V - 1.3A Military MIL-PRF-19500/503 Through Hole E-PAK -65°C ~ 155°C
JANTX1N6642UB/TR

JANTX1N6642UB/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Microchip Technology

6,507 -
JANTX1N6642UB/TR

数据表

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 75 V - 300mA Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount UB -65°C ~ 175°C
UES1102SM/TR

UES1102SM/TR

DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF

Microchip Technology

5,459 -
UES1102SM/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V 3.5pF @ 6V, 1MHz 2.5A - - Surface Mount A-MELF 150°C (Max)
1N6701/TR

1N6701/TR

DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

5,772 -
1N6701/TR

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
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