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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JAN1N6625U/TR

JAN1N6625U/TR

DIODE GP 1.1KV 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,246 -
JAN1N6625U/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 1 µA @ 1100 V - 1A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6622U/TR

JAN1N6622U/TR

DIODE GP 660V 1.2A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,895 -
JAN1N6622U/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 660 V - 1.2A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6621U/TR

JAN1N6621U/TR

DIODE GP 440V 1.2A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,737 -
JAN1N6621U/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 440 V - 1.2A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6627U/TR

JAN1N6627U/TR

DIODE GP REV 400V 4A E-MELF

Microchip Technology

3,002 -
JAN1N6627U/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 400 V - 4A Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount E-MELF -
JANTXV1N5415US

JANTXV1N5415US

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B

Microchip Technology

3,801 -
JANTXV1N5415US

数据表

- SQ-MELF, E Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 50 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 50 V - 3A Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
CD5711

CD5711

DIODE SCHOTTKY 50V 15MA DIE

Microchip Technology

280 -
CD5711

数据表

- Die Bulk Active Schottky 50 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 15mA - - Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
JANTXV1N5552US/TR

JANTXV1N5552US/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

7,998 -
JANTXV1N5552US/TR

数据表

- SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 1.2 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 1 µA @ 600 V - 3A Military MIL-PRF-19500/420 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
1N6627US/TR

1N6627US/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Microchip Technology

2,587 -
1N6627US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A - - Surface Mount A-MELF -65°C ~ 150°C
1N6627U/TR

1N6627U/TR

DIODE GEN PURP 400V 4A D-5B

Microchip Technology

2,943 -
1N6627U/TR

数据表

- SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 400 V 1.5 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 400 V - 4A - - Surface Mount D-5B -
1N6537

1N6537

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

4,952 -
1N6537

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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