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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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JANTX1N5189/TR

JANTX1N5189/TR

DIODE GEN PURP 500V 3A B

Microchip Technology

3,409 -
JANTX1N5189/TR

数据表

- Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 500 V 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 2 µA @ 500 V - 3A Military MIL-PRF-19500/424 Through Hole B -65°C ~ 175°C
JAN1N6625US/TR

JAN1N6625US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

2,071 -
JAN1N6625US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1.75 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 1 µA @ 1000 V - 1A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6624US/TR

JAN1N6624US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,128 -
JAN1N6624US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 900 V 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 nA @ 900 V - 1A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JANTXV1N3595AUS

JANTXV1N3595AUS

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

3,752 -
JANTXV1N3595AUS

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - 150mA Military MIL-PRF-19500/241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JAN1N6621US/TR

JAN1N6621US/TR

DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A

Microchip Technology

5,479 -
JAN1N6621US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 20 ns 500 nA @ 75 V 2.8pF @ 1.5V, 1MHz 200mA Military MIL-PRF-19500/116 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
JAN1N6626US/TR

JAN1N6626US/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.75A D-5B

Microchip Technology

6,141 -
JAN1N6626US/TR

数据表

- SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JAN1N6622US/TR

JAN1N6622US/TR

DIODE GEN PURP 660V 1.2A D-5A

Microchip Technology

4,267 -
JAN1N6622US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 660 V 10pF @ 10V, 1MHz 1.2A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount D-5A -65°C ~ 150°C
JAN1N6627US/TR

JAN1N6627US/TR

DIODE GEN PURP 440V 1.75A D-5B

Microchip Technology

8,914 -
JAN1N6627US/TR

数据表

- SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 440 V 1.35 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 440 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JAN1N6626U/TR

JAN1N6626U/TR

DIODE GP 220V 1.75A SQ-MELF

Microchip Technology

5,771 -
JAN1N6626U/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6624U/TR

JAN1N6624U/TR

DIODE GP 990V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

8,112 -
JAN1N6624U/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 990 V 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 500 nA @ 990 V - 1A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
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