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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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1N6631E3/TR

1N6631E3/TR

DIODE GP REV 1.1KV 1.4A E AXIAL

Microchip Technology

3,478 -
1N6631E3/TR

数据表

- E, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard, Reverse Polarity 1100 V 1.6 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 80 ns 4 µA @ 1100 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.4A - - Through Hole E, Axial -65°C ~ 150°C
1N5712UR-1

1N5712UR-1

SCHOTTKY DIODE

Microchip Technology

6,494 -
1N5712UR-1

数据表

- DO-213AA Bulk Active Schottky 16 V 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz 75mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
1N6545

1N6545

DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

Microchip Technology

4,036 -
1N6545

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
JANTXV1N6639US

JANTXV1N6639US

SWITCHING DIODE

Microchip Technology

3,389 -
JANTXV1N6639US

数据表

- SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 1.2 V @ 500 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 75 V - 300mA Military MIL-PRF-19500/609 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N6623US/TR

JAN1N6623US/TR

DIODE GEN PURP 880V 1A D-5A

Microchip Technology

2,848 -
JAN1N6623US/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 880 V 1.55 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 880 V 10pF @ 10V, 1MHz 1A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount D-5A -65°C ~ 150°C
JAN1N6623U/TR

JAN1N6623U/TR

DIODE GP 800V 1.5A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,075 -
JAN1N6623U/TR

数据表

- SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1.8 V @ 1.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 500 nA @ 800 V - 1.5A Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
CDLL5712

CDLL5712

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO213AA

Microchip Technology

7,830 -
CDLL5712

数据表

- DO-213AA Bulk Active Schottky 20 V 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz 75mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
1N6626UE3/TR

1N6626UE3/TR

DIODE GP 220V 1.75A SQ-MELF

Microchip Technology

5,170 -
1N6626UE3/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 220 V 40pF @ 10V, 1MHz 1.75A - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JANTX1N3595AUR-1

JANTX1N3595AUR-1

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

3,098 -
JANTX1N3595AUR-1

数据表

- DO-213AA Bulk Active Standard 125 V 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 2 nA @ 125 V - 150mA Military MIL-S-19500-241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
1N5712UR-1/TR

1N5712UR-1/TR

DIODE SCHOTTKY 16V 75MA DO213AA

Microchip Technology

2,615 -
1N5712UR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 16 V 1 V @ 35 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz 75mA - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
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