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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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CD1A50

CD1A50

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DIE

Microchip Technology

6,265 -
CD1A50

数据表

- Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 50 V - 1A Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
JAN1N3595UR-1/TR

JAN1N3595UR-1/TR

DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Microchip Technology

5,068 -
JAN1N3595UR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 125 V 920 mV @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 3 µs 1 nA @ 125 V - 150mA Military MIL-PRF-19500/241 Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
JAN1N6642/TR

JAN1N6642/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA

Microchip Technology

7,721 -
JAN1N6642/TR

数据表

- D, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz 300mA Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642US/TR

1N6642US/TR

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

5,402 -
1N6642US/TR

数据表

- SQ-MELF, D Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz 300mA - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N6642U/TR

1N6642U/TR

DIODE GP 100V 300MA SQ-MELF

Microchip Technology

9,848 -
1N6642U/TR

数据表

- SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz 300mA - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 200°C
CDLL5817

CDLL5817

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,619 -
CDLL5817

数据表

- DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 20 V 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - 1A - - Surface Mount DO-213AB -55°C ~ 125°C
1N5711E3/TR

1N5711E3/TR

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

2,997 -
1N5711E3/TR

数据表

- DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz 33mA - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N6642UE3

1N6642UE3

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

2,129 -
1N6642UE3

数据表

- SQ-MELF, D Bulk Active Standard 75 V 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz 300mA - - Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
1N3070

1N3070

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

4,502 -
1N3070

数据表

- DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Obsolete Standard 175 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - 100mA - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
1N3070UR-1

1N3070UR-1

DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7

Microchip Technology

2,830 -
1N3070UR-1

数据表

- DO-204AA, DO-7, Axial Bulk Active Standard 175 V 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V - 100mA - - Through Hole DO-7 -65°C ~ 175°C
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