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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度
APT15GP90BDQ1G

APT15GP90BDQ1G

IGBT PT 900V 43A TO247

Microchip Technology

9,900 -
APT15GP90BDQ1G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 60 A 3.9V @ 15V, 15A 250 W Through Hole 200µJ (off) Standard 43 A 60 nC 9ns/33ns - 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT13GP120BG

APT13GP120BG

IGBT PT 1200V 41A TO247

Microchip Technology

2,845 -
APT13GP120BG

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 50 A 3.9V @ 15V, 13A 250 W Through Hole 115µJ (on), 165µJ (off) Standard 41 A 55 nC 9ns/28ns - 600V, 13A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT54GA60B

APT54GA60B

IGBT PT 600V 96A TO247

Microchip Technology

9,290 -
APT54GA60B

数据表

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 600 V 161 A 2.5V @ 15V, 32A 416 W Through Hole 534µJ (on), 466µJ (off) Standard 96 A 158 nC 17ns/112ns - 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

IGBT PT 900V 63A TO247

Microchip Technology

9,788 -
APT35GA90BD15

数据表

- TO-247-3 Tube Active PT 900 V 105 A 3.1V @ 15V, 18A 290 W Through Hole 642µJ (on), 382µJ (off) Standard 63 A 84 nC 12ns/104ns - 600V, 18A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT20GN60SDQ2G

APT20GN60SDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 40A D3PAK

Microchip Technology

20 -
APT20GN60SDQ2G

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 60 A 1.9V @ 15V, 20A 136 W Surface Mount 230µJ (on), 580µJ (off) Standard 40 A 120 nC 9ns/140ns - 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V D3PAK - 30 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
APT25GN120BG

APT25GN120BG

IGBT TRENCH FS 1200V 67A TO247

Microchip Technology

2,115 -
APT25GN120BG

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 75 A 2.1V @ 15V, 25A 272 W Through Hole 2.15µJ (off) Standard 67 A 155 nC 22ns/280ns - 800V, 25A, 1Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

IGBT TRENCH FS 1200V 45A TO247

Microchip Technology

6,009 -
APT15GN120BDQ1G

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 1200 V 45 A 2.1V @ 15V, 15A 195 W Through Hole 410µJ (on), 950µJ (off) Standard 45 A 90 nC 10ns/150ns - 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

IGBT NPT 1200V 75A TO247

Microchip Technology

7,890 -
APT25GR120BD15

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 100 A 3.2V @ 15V, 25A 521 W Through Hole 742µJ (on), 427µJ (off) Standard 75 A 203 nC 16ns/122ns - 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V TO-247 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

IGBT PT 1200V 41A TO247

Microchip Technology

9,794 -
APT13GP120BDQ1G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 50 A 3.9V @ 15V, 13A 250 W Through Hole 115µJ (on), 165µJ (off) Standard 41 A 55 nC 9ns/28ns - 600V, 13A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT20GN60BDQ2G

APT20GN60BDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3

Microchip Technology

8 -
APT20GN60BDQ2G

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 60 A 1.9V @ 15V, 20A 136 W Through Hole 230µJ (on), 580µJ (off) Standard 40 A 120 nC 9ns/140ns - 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V TO-247-3 - 30 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
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