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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 134A

Microchip Technology

35 -
APT50GN120L2DQ2G

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 150 A 2.1V @ 15V, 50A 543 W Through Hole 4495µJ (off) Standard 134 A 315 nC 28ns/320ns - 800V, 50A, 2.2Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

IGBT PT 600V 198A

Microchip Technology

13 -
APT65GP60L2DQ2G

数据表

POWER MOS 7® TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 250 A 2.7V @ 15V, 65A 833 W Through Hole 605µJ (on), 895µJ (off) Standard 198 A 210 nC 30ns/90ns - 400V, 65A, 5Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GP90BG

APT25GP90BG

IGBT PT 900V 72A TO247

Microchip Technology

51 -
APT25GP90BG

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 900 V 110 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W Through Hole 370µJ (off) Standard 72 A 110 nC 13ns/55ns - 600V, 25A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G

IGBT PT 1200V 96A TMAX

Microchip Technology

40 -
APT35GP120B2D2G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 140 A 3.9V @ 15V, 35A 540 W Through Hole 1mJ (on), 1.185mJ (off) Standard 96 A 150 nC 14ns/99ns - 800V, 35A, 5Ohm, 15V T-MAX™ [B2] - 85 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

IGBT PT 1200V 96A

Microchip Technology

28 -
APT35GP120B2DQ2G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 140 A 3.9V @ 15V, 35A 543 W Through Hole 750µJ (on), 680µJ (off) Standard 96 A 150 nC 16ns/95ns - 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40GR120B

APT40GR120B

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

37 -
APT40GR120B

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W Through Hole 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 88 A 210 nC 22ns/163ns - 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V TO-247-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30

IGBT NPT 1200V 88A TO247-3

Microchip Technology

60 -
APT40GR120B2D30

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete NPT 1200 V 160 A 3.2V @ 15V, 40A 500 W Through Hole 1.38mJ (on), 906µJ (off) Standard 88 A 210 nC 22ns/163ns - 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V TO-247-3 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT75GN60SDQ2G

APT75GN60SDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 155A D3PAK

Microchip Technology

33 -
APT75GN60SDQ2G

数据表

- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active Trench Field Stop 600 V 225 A 1.85V @ 15V, 75A 536 W Surface Mount 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) Standard 155 A 485 nC 47ns/385ns - 400V, 75A, 1Ohm, 15V D3PAK - 25 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
APT50GT120LRG

APT50GT120LRG

IGBT NPT 1200V 50A TO264

Microchip Technology

27 -
APT50GT120LRG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 150 A 3.7V @ 15V, 50A 625 W Through Hole -, 2.33mJ (off) Standard 50 A 340 nC 24ns/230ns - 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V TO-264 (L) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

IGBT PT 900V 48A TO247

Microchip Technology

8,599 -
APT27GA90BD15

数据表

- TO-247-3 Tube Active PT 900 V 79 A 3.1V @ 15V, 14A 223 W Through Hole 413µJ (on), 287µJ (off) Standard 48 A 62 nC 9ns/98ns - 600V, 14A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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