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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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APT75GN60BDQ2G

APT75GN60BDQ2G

IGBT TRENCH FS 600V 155A TO247-3

Microchip Technology

97 -
APT75GN60BDQ2G

数据表

- TO-247-3 Tube Active Trench Field Stop 600 V 225 A 1.85V @ 15V, 75A 536 W Through Hole 2.5mJ (on), 2.14mJ (off) Standard 155 A 485 nC 47ns/385ns - 400V, 75A, 1Ohm, 15V TO-247-3 - 25 ns -55°C ~ 175°C (TJ)
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

IGBT NPT FIELD STOP 1200V 94A

Microchip Technology

60 -
APT35GN120L2DQ2G

数据表

- TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT, Trench Field Stop 1200 V 105 A 2.1V @ 15V, 35A 379 W Through Hole 2.315mJ (off) Standard 94 A 220 nC 24ns/300ns - 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT80GA90B

APT80GA90B

IGBT PT 900V 145A TO247

Microchip Technology

17 -
APT80GA90B

数据表

- TO-247-3 Tube Active PT 900 V 239 A 3.1V @ 15V, 47A 625 W Through Hole 1652µJ (on), 1389µJ (off) Standard 145 A 200 nC 18ns/149ns - 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

IGBT PT 1200V 113A

Microchip Technology

20 -
APT45GP120B2DQ2G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 170 A 3.9V @ 15V, 45A 625 W Through Hole 900µJ (on), 905µJ (off) Standard 113 A 185 nC 18ns/100ns - 600V, 45A, 5Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

IGBT PT 1200V 100A

Microchip Technology

31 -
APT75GP120B2G

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 300 A 3.9V @ 15V, 75A 1042 W Through Hole 1620µJ (on), 2500µJ (off) Standard 100 A 320 nC 20ns/163ns - 600V, 75A, 5Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT43GA90B

APT43GA90B

IGBT PT 900V 78A TO247

Microchip Technology

81 -
APT43GA90B

数据表

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Active PT 900 V 129 A 3.1V @ 15V, 25A 337 W Through Hole 875µJ (on), 425µJ (off) Standard 78 A 116 nC 12ns/82ns - 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

IGBT NPT 1200V 54A TO247

Microchip Technology

88 -
APT25GT120BRDQ2G

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 75 A 3.7V @ 15V, 25A 347 W Through Hole 930µJ (on), 720µJ (off) Standard 54 A 170 nC 14ns/150ns - 800V, 25A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT95GR65B2

APT95GR65B2

IGBT NPT 650V 208A TMAX

Microchip Technology

58 -
APT95GR65B2

数据表

- TO-247-3 Tube Active NPT 650 V 400 A 2.4V @ 15V, 95A 892 W Through Hole 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) Standard 208 A 420 nC 29ns/226ns - 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V T-MAX™ [B2] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT25GP120BG

APT25GP120BG

IGBT PT 1200V 69A TO247

Microchip Technology

18 -
APT25GP120BG

数据表

POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 90 A 3.9V @ 15V, 25A 417 W Through Hole 500µJ (on), 438µJ (off) Standard 69 A 110 nC 12ns/70ns - 600V, 25A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT85GR120B2

APT85GR120B2

IGBT NPT 1200V 170A TMAX

Microchip Technology

28 -
APT85GR120B2

数据表

- TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 340 A 3.2V @ 15V, 85A 962 W Through Hole 6mJ (on), 3.8mJ (off) Standard 170 A 660 nC 43ns/300ns - 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V T-MAX™ - - -55°C ~ 150°C (TJ)
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