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单个 IGBTs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 功率 - 最大值 安装类型 开关能量 输入类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 栅极电荷 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 认证 测试条件 供应商设备封装 等级 反向恢复时间 (trr) 工作温度

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APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

IGBT NPT 600V 64A TO247

Microchip Technology

5,325 -
APT30GT60BRG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 110 A 2.5V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 525µJ (on), 600µJ (off) Standard 64 A 145 nC 12ns/225ns - 400V, 30A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

IGBT NPT 600V 110A TO247

Microchip Technology

2,143 -
APT50GT60BRDQ2G

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 150 A 2.5V @ 15V, 50A 446 W Through Hole 995µJ (on), 1070µJ (off) Standard 110 A 240 nC 14ns/240ns - 400V, 50A, 5Ohm, 15V TO-247 [B] - 22 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
APT50GT60BRG

APT50GT60BRG

IGBT NPT 600V 110A TO247

Microchip Technology

4,645 -
APT50GT60BRG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 150 A 2.5V @ 15V, 50A 446 W Through Hole 995µJ (on), 1070µJ (off) Standard 110 A 240 nC 14ns/240ns - 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

IGBT NPT 600V 148A

Microchip Technology

5,669 -
APT100GT60B2RG

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Variant Tube Active NPT 600 V 300 A 2.5V @ 15V, 100A 500 W Through Hole 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) Standard 148 A 460 nC 40ns/320ns - 400V, 100A, 4.3Ohm, 15V - - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

IGBT NPT 600V 54A TO247

Microchip Technology

7,048 -
APT30GS60BRDQ2G

数据表

Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 113 A 3.15V @ 15V, 30A 250 W Through Hole 570µJ (off) Standard 54 A 145 nC 16ns/360ns - 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V TO-247 [B] - 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
APT36GA60B

APT36GA60B

IGBT PT 600V 65A TO247

Microchip Technology

8,235 -
APT36GA60B

数据表

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 109 A 2.5V @ 15V, 20A 290 W Through Hole 307µJ (on), 254µJ (off) Standard 65 A 102 nC 16ns/122ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

IGBT PT 600V 65A TO247

Microchip Technology

2,031 -
APT36GA60BD15

数据表

POWER MOS 8™ TO-247-3 Tube Obsolete PT 600 V 109 A 2.5V @ 15V, 20A 290 W Through Hole 307µJ (on), 254µJ (off) Standard 65 A 18 nC 16ns/122ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V TO-247 [B] - - -55°C ~ 150°C (TJ)
APT36GA60SD15

APT36GA60SD15

IGBT PT 600V 65A D3PAK

Microchip Technology

5,421 -
APT36GA60SD15

数据表

POWER MOS 8® TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete PT 600 V 109 A 2.5V @ 15V, 20A 290 W Surface Mount 307µJ (on), 254µJ (off) Standard 65 A 102 nC 16ns/122ns - 400V, 20A, 10Ohm, 15V D3PAK - 19 ns -55°C ~ 150°C (TJ)
CMFCLGF100X120BTAM-AS

CMFCLGF100X120BTAM-AS

CMFCLGF100X120BTAM-AS

Microchip Technology

4,045 -
CMFCLGF100X120BTAM-AS

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
CD-MSCGLQ75X120CTYZBNMG

CD-MSCGLQ75X120CTYZBNMG

ST-IGBT-SBD-6HPD

Microchip Technology

4,622 -
CD-MSCGLQ75X120CTYZBNMG

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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