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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTA200N075T

IXTA200N075T

MOSFET N-CH 75V 200A TO263

IXYS

7,435 -
IXTA200N075T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V 75 V ±20V 6800 pF @ 25 V - - TO-263AA - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA200N075T7

IXTA200N075T7

MOSFET N-CH 75V 200A TO263-7

IXYS

7,652 -
IXTA200N075T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V 75 V ±20V 6800 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA200N085T

IXTA200N085T

MOSFET N-CH 85V 200A TO263

IXYS

5,954 -
IXTA200N085T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 152 nC @ 10 V 85 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - TO-263AA - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA200N085T7

IXTA200N085T7

MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7

IXYS

4,814 -
IXTA200N085T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 152 nC @ 10 V 85 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA220N055T

IXTA220N055T

MOSFET N-CH 55V 220A TO263

IXYS

4,208 -
IXTA220N055T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 158 nC @ 10 V 55 V ±20V 7200 pF @ 25 V - - TO-263AA - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA220N055T7

IXTA220N055T7

MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7

IXYS

4,598 -
IXTA220N055T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 220A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 158 nC @ 10 V 55 V ±20V 7200 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA240N055T

IXTA240N055T

MOSFET N-CH 55V 240A TO263

IXYS

8,366 -
IXTA240N055T

数据表

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V 55 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - TO-263AA - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA240N055T7

IXTA240N055T7

MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7

IXYS

2,037 -
IXTA240N055T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V 55 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA2N80P

IXTA2N80P

MOSFET N-CH 800V 2A TO263

IXYS

7,086 -
IXTA2N80P

数据表

PolarHV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 6Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 5.5V @ 50µA 10.6 nC @ 10 V 800 V ±30V 440 pF @ 25 V - - TO-263AA - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA70N085T

IXTA70N085T

MOSFET N-CH 85V 70A TO263

IXYS

3,320 -
IXTA70N085T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V 85 V ±20V 2570 pF @ 25 V - - TO-263AA - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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