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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXTA76N075T

IXTA76N075T

MOSFET N-CH 75V 76A TO263

IXYS

9,341 -
IXTA76N075T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 76A (Tc) 10V 12mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 50µA 57 nC @ 10 V 75 V ±20V 2580 pF @ 25 V - - TO-263AA - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA88N085T

IXTA88N085T

MOSFET N-CH 85V 88A TO263

IXYS

2,748 -
IXTA88N085T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 88A (Tc) 10V 11mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V 85 V ±20V 3140 pF @ 25 V - - TO-263AA - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA90N055T

IXTA90N055T

MOSFET N-CH 55V 90A TO263

IXYS

7,717 -
IXTA90N055T

数据表

TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 50µA 61 nC @ 10 V 55 V ±20V 2500 pF @ 25 V - - TO-263AA - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTC160N085T

IXTC160N085T

MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

IXYS

4,564 -
IXTC160N085T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) - - Through Hole - - 85 V - - - - ISOPLUS220™ - - -
IXTC180N085T

IXTC180N085T

MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

IXYS

7,789 -
IXTC180N085T

数据表

- ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 6.1mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V 85 V ±20V 8800 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTC220N055T

IXTC220N055T

MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220

IXYS

7,256 -
IXTC220N055T

数据表

TrenchMV™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 130A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 158 nC @ 10 V 55 V ±20V 7200 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTC220N075T

IXTC220N075T

MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220

IXYS

2,913 -
IXTC220N075T

数据表

TrenchMV™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 115A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 165 nC @ 10 V 75 V ±20V 7700 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTC240N055T

IXTC240N055T

MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220

IXYS

6,798 -
IXTC240N055T

数据表

TrenchMV™ ISOPLUS220™ Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 132A (Tc) 10V 4mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V 55 V ±20V 7600 pF @ 25 V - - ISOPLUS220™ - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTF230N085T

IXTF230N085T

MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC

IXYS

7,250 -
IXTF230N085T

数据表

TrenchMV™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 130A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 250mA 187 nC @ 10 V 85 V ±20V 9900 pF @ 25 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTF250N075T

IXTF250N075T

MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC

IXYS

5,858 -
IXTF250N075T

数据表

TrenchMV™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 140A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 50A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V 75 V ±20V 9900 pF @ 25 V - - ISOPLUS i4-PAC™ - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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