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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3

IXYS

3,251 -
IXFX30N100Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 400mOhm @ 15A, 10V Through Hole 5V @ 8mA 186 nC @ 10 V 1000 V ±30V 8200 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX38N80Q2

IXFX38N80Q2

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3

IXYS

9,083 -
IXFX38N80Q2

数据表

HiPerFET™, Q2 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 220mOhm @ 19A, 10V Through Hole 4.5V @ 8mA 190 nC @ 10 V 800 V ±30V 8340 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX44N55Q

IXFX44N55Q

MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247-3

IXYS

9,666 -
IXFX44N55Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Box Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 120mOhm @ 22A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V 550 V ±20V 6400 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX66N50Q2

IXFX66N50Q2

MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3

IXYS

3,081 -
IXFX66N50Q2

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 66A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V 500 V ±30V 9125 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 735W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXKG25N80C

IXKG25N80C

MOSFET N-CH 800V 25A ISO264

IXYS

8,409 -
IXKG25N80C

数据表

CoolMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 150mOhm @ 9A, 10V Through Hole 4V @ 2mA 166 nC @ 10 V 800 V ±20V - - - ISO264™ - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTA152N085T

IXTA152N085T

MOSFET N-CH 85V 152A TO263

IXYS

6,801 -
IXTA152N085T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 152A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 114 nC @ 10 V 85 V ±20V 5500 pF @ 25 V - - TO-263AA - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA152N085T7

IXTA152N085T7

MOSFET N-CH 85V 152A TO263-7

IXYS

6,777 -
IXTA152N085T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 152A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 114 nC @ 10 V 85 V ±20V 5500 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA180N055T

IXTA180N055T

MOSFET N-CH 55V 180A TO263

IXYS

2,983 -
IXTA180N055T

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) - - Surface Mount 4V @ 1mA - 55 V - - - - TO-263AA - - -
IXTA180N085T

IXTA180N085T

MOSFET N-CH 85V 180A TO263

IXYS

3,657 -
IXTA180N085T

数据表

TrenchMV™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V 85 V ±20V 7500 pF @ 25 V - - TO-263AA - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTA180N085T7

IXTA180N085T7

MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7

IXYS

7,334 -
IXTA180N085T7

数据表

TrenchMV™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V 85 V ±20V 7500 pF @ 25 V - - TO-263-7 (IXTA) - 430W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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