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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFX50N50

IXFX50N50

MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3

IXYS

3,018 -
IXFX50N50

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 100mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V 500 V ±20V 9400 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTE250N10

IXTE250N10

MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B

IXYS

2,530 -
IXTE250N10

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250A - - Chassis Mount - - 100 V - - - - SOT-227B - 730W -
IXTH13N80

IXTH13N80

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

IXYS

9,596 -
IXTH13N80

数据表

MegaMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 800mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V 800 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH150N17T

IXTH150N17T

MOSFET N-CH 175V 150A TO247

IXYS

6,392 -
IXTH150N17T

数据表

TrenchHV™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150A (Tc) 10V 12mOhm @ 75A, 10V Through Hole 5V @ 1mA 155 nC @ 10 V 175 V ±30V 9800 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IXTH30N50L

IXTH30N50L

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

IXYS

9,173 -
IXTH30N50L

数据表

Linear TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 240 nC @ 10 V 500 V ±20V 10200 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH48N15

IXTH48N15

MOSFET N-CH 150V 48A TO247

IXYS

8,686 -
IXTH48N15

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 32mOhm @ 500mA, 10V Through Hole - 140 nC @ 10 V 150 V ±20V 3200 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTK21N100

IXTK21N100

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

IXYS

5,915 -
IXTK21N100

数据表

MegaMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 21A (Tc) 10V 550mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 500µA 250 nC @ 10 V 1000 V ±20V 8400 pF @ 25 V - - TO-264 (IXTK) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTP36N30T

IXTP36N30T

MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB

IXYS

9,515 -
IXTP36N30T

数据表

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 36A (Tc) - 110mOhm @ 500mA, 10V Through Hole - 70 nC @ 10 V 300 V - 2250 pF @ 25 V - - TO-220-3 - - -
IXTP44N15T

IXTP44N15T

MOSFET N-CH 150V 44A TO220AB

IXYS

3,833 -
IXTP44N15T

数据表

Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) - - Through Hole - - 150 V - - - - TO-220-3 - - -
IXTQ30N50L

IXTQ30N50L

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P

IXYS

4,618 -
IXTQ30N50L

数据表

Linear TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 200mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 240 nC @ 10 V 500 V ±20V 10200 pF @ 25 V - - TO-3P - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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