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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFK35N50

IXFK35N50

MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA

IXYS

9,022 -
IXFK35N50

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 10V 150mOhm @ 16.5A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 227 nC @ 10 V 500 V ±20V 5700 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK52N30Q

IXFK52N30Q

MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA

IXYS

4,737 -
IXFK52N30Q

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V 300 V ±20V 5300 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK60N25Q

IXFK60N25Q

MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA

IXYS

2,620 -
IXFK60N25Q

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 47mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 250 V ±20V 5100 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK80N20

IXFK80N20

MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA

IXYS

4,891 -
IXFK80N20

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 30mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 280 nC @ 10 V 200 V ±20V 5900 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK80N20Q

IXFK80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA

IXYS

6,593 -
IXFK80N20Q

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 200 V ±20V 4600 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN100N20

IXFN100N20

MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

IXYS

8,293 -
IXFN100N20

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 23mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 380 nC @ 10 V 200 V ±20V 9000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFN180N10

IXFN180N10

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

IXYS

3,686 -
IXFN180N10

数据表

HiPerFET™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 8mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 8mA 360 nC @ 10 V 100 V ±20V 9100 pF @ 25 V - - SOT-227B - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR10N100Q

IXFR10N100Q

MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247

IXYS

7,553 -
IXFR10N100Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V Through Hole 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 1000 V ±20V 2900 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR12N100Q

IXFR12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

IXYS

8,707 -
IXFR12N100Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V Through Hole 5.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 1000 V ±20V 2900 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR15N100P

IXFR15N100P

MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247

IXYS

2,876 -
IXFR15N100P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - 1000 V - - - - ISOPLUS247™ - - -
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