富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IXFT58N20

IXFT58N20

MOSFET N-CH 200V 58A TO268

IXYS

2,876 -
IXFT58N20

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 220 nC @ 10 V 200 V ±20V 4400 pF @ 25 V - - TO-268AA - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT74N20

IXFT74N20

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

IXYS

9,704 -
IXFT74N20

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 74A (Tc) 10V 30mOhm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 280 nC @ 10 V 200 V ±20V 5400 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTP450P2

IXTP450P2

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

IXYS

3,647 -
IXTP450P2

数据表

PolarP2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 330mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V 500 V ±30V 2530 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT80N10Q

IXFT80N10Q

MOSFET N-CH 100V 80A TO268

IXYS

5,891 -
IXFT80N10Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 15mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 100 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT80N20Q

IXFT80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO268

IXYS

6,345 -
IXFT80N20Q

数据表

HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V 200 V ±20V 4600 pF @ 25 V - - TO-268AA - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH22N50P

IXTH22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

IXYS

20 -
IXTH22N50P

数据表

Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 270mOhm @ 11A, 10V Through Hole 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V 500 V ±30V 2630 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 350W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX14N100

IXFX14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3

IXYS

4,052 -
IXFX14N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 750mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 220 nC @ 10 V 1000 V ±20V 4500 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX30N50Q

IXFX30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247-3

IXYS

7,226 -
IXFX30N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 160mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 150 nC @ 10 V 500 V ±20V 3950 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX32N50

IXFX32N50

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3

IXYS

5,973 -
IXFX32N50

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 150mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 4mA 300 nC @ 10 V 500 V ±20V 5450 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3

IXYS

6,187 -
IXFX32N50Q

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 150 nC @ 10 V 500 V ±20V 3950 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户