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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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APT80SM120J

APT80SM120J

SICFET N-CH 1200V 51A SOT227

Microsemi Corporation

3,959 -
APT80SM120J

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 51A (Tc) 20V 55mOhm @ 40A, 20V Chassis Mount 2.5V @ 1mA 235 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V - - - SOT-227 - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
APT55M50JFLL

APT55M50JFLL

MOSFET N-CH 550V 77A ISOTOP

Microsemi Corporation

5,357 -
APT55M50JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 77A (Tc) 10V 50mOhm @ 38.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 265 nC @ 10 V 550 V ±30V 12400 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT40M35JVFR

APT40M35JVFR

MOSFET N-CH 400V 93A ISOTOP

Microsemi Corporation

5,730 -
APT40M35JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 93A (Tc) 10V 35mOhm @ 46.5A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 1065 nC @ 10 V 400 V ±30V 20160 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Microsemi Corporation

5,064 -
APT58M50JCU3

数据表

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 58A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V 500 V ±30V 10800 pF @ 25 V - - SOT-227 - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP

Microsemi Corporation

5,200 -
APT60M75JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 62A (Tc) 10V 75mOhm @ 31A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 1050 nC @ 10 V 600 V ±30V 19800 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT14050JVFR

APT14050JVFR

MOSFET N-CH 1400V 23A ISOTOP

Microsemi Corporation

4,362 -
APT14050JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 10V 500mOhm @ 11.5A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 820 nC @ 10 V 1400 V ±30V 13500 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Microsemi Corporation

7,158 -
APTM100DA18CT1G

数据表

POWER MOS 8™ SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 216mOhm @ 33A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 570 nC @ 10 V 1000 V ±30V 14800 pF @ 25 V - - SP1 - 657W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTC60DAM24CT1G

APTC60DAM24CT1G

MOSFET N-CH 600V 95A SP4

Microsemi Corporation

9,871 -
APTC60DAM24CT1G

数据表

CoolMOS™ SP4 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 95A (Tc) 10V 24mOhm @ 47.5A, 10V Chassis Mount 3.9V @ 5mA 300 nC @ 10 V 600 V ±20V 14400 pF @ 25 V - - SP4 - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20UM09SG

APTM20UM09SG

MOSFET N-CH 200V 195A MODULE

Microsemi Corporation

5,937 -
APTM20UM09SG

数据表

- J3 Module Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 10V 9mOhm @ 74.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 4mA 217 nC @ 10 V 200 V ±30V 12300 pF @ 25 V - - Module - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20SKM05G

APTM20SKM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

Microsemi Corporation

8,866 -
APTM20SKM05G

数据表

- SP6 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 317A (Tc) 10V 6mOhm @ 158.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 448 nC @ 10 V 200 V ±30V 27400 pF @ 25 V - - SP6 - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
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