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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SQM100N04-2M7_GE3

SQM100N04-2M7_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Vishay Siliconix

6,866 -
SQM100N04-2M7_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 145 nC @ 10 V 40 V ±20V 7910 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI3812DV-T1-E3

SI3812DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

Vishay Siliconix

9,692 -
SI3812DV-T1-E3

数据表

LITTLE FOOT® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Surface Mount 600mV @ 250µA (Min) 4 nC @ 4.5 V 20 V ±12V - - Schottky Diode (Isolated) 6-TSOP - 830mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

6,174 -
SIB413DK-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 2.5V, 4.5V 75mOhm @ 6.5A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 7.63 nC @ 5 V 20 V ±12V 357 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-75-6 - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Vishay Siliconix

2,441 -
SI3460BDV-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 5.1A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 24 nC @ 8 V 20 V ±8V 860 pF @ 10 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

2,828 -
SI7326DN-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 19.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V 30 V ±25V - - - PowerPAK® 1212-8 - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

4,816 -
SI7326DN-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 19.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V 30 V ±25V - - - PowerPAK® 1212-8 - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQ2310ES-T1_GE3

SQ2310ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

Vishay Siliconix

3,536 -
SQ2310ES-T1_GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 1.5V, 4.5V 30mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 485 pF @ 10 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 2W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI3458BDV-T1-BE3

SI3458BDV-T1-BE3

MOSFET N-CH 60V 3.2A/4.1A 6TSOP

Vishay Siliconix

5,174 -
SI3458BDV-T1-BE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.2A (Ta), 4.1A (Tc) 4.5V, 10V 100mOhm @ 3.2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 11 nC @ 10 V 60 V ±20V 350 pF @ 30 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHF540STRL-GE3

SIHF540STRL-GE3

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Vishay Siliconix

9,669 -
SIHF540STRL-GE3

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V 100 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF830STRR

IRF830STRR

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Vishay Siliconix

8,883 -
IRF830STRR

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 500 V ±20V 610 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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