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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIR644DP-T1-GE3

SIR644DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

8,481 -
SIR644DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 71 nC @ 10 V 40 V ±20V 3200 pF @ 20 V - - PowerPAK® SO-8 - 5.2W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFBC30APBF-BE3

IRFBC30APBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

6,108 -
IRFBC30APBF-BE3

数据表

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V 600 V ±30V 510 pF @ 25 V - - TO-220AB - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

3,687 -
SQS405ENW-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 13.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 75 nC @ 8 V 12 V ±8V 2650 pF @ 6 V AEC-Q101 - PowerPAK® 1212-8 Automotive 39W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFR310

IRFR310

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Vishay Siliconix

2,056 -
IRFR310

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 400 V ±20V 170 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR310TR

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

Vishay Siliconix

6,432 -
IRFR310TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 400 V ±20V 170 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9010TR

IRFR9010TR

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

Vishay Siliconix

7,991 -
IRFR9010TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V 50 V ±20V 240 pF @ 25 V - - DPAK - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9010

IRFR9010

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

Vishay Siliconix

2,659 -
IRFR9010

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V 50 V ±20V 240 pF @ 25 V - - DPAK - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9014

IRFR9014

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

3,324 -
IRFR9014

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9014TR

IRFR9014TR

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

6,642 -
IRFR9014TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9014TRL

IRFR9014TRL

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Vishay Siliconix

5,237 -
IRFR9014TRL

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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