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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI4010DY-T1-GE3

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

Vishay Siliconix

6,340 -
SI4010DY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31.3A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.3V @ 250µA 77 nC @ 10 V 30 V +20V, -16V 3595 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA)
SI4776DY-T1-GE3

SI4776DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

Vishay Siliconix

7,476 -
SI4776DY-T1-GE3

数据表

SkyFET®, TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.9A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.3V @ 1mA 17.5 nC @ 10 V 30 V ±20V 521 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 4.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA)
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

4,757 -
SIB415DK-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 4.5V, 10V 87mOhm @ 4.17A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 10.05 nC @ 10 V 30 V ±20V 295 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-75-6 - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3

Vishay Siliconix

2,836 -
SI2311DS-T1-GE3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.8V, 4.5V 45mOhm @ 3.5A, 4.5V Surface Mount 800mV @ 250µA 12 nC @ 4.5 V 8 V ±8V 970 pF @ 4 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 710mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQP90142E_GE3

SQP90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

Vishay Siliconix

3,407 -
SQP90142E_GE3

数据表

TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 78.5A (Tc) 10V 15.3mOhm @ 20A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V 200 V ±20V 4200 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI1002R-T1-GE3

SI1002R-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A

Vishay Siliconix

4,026 -
SI1002R-T1-GE3

数据表

- SC-75A Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 610mA (Ta) 1.5V, 4.5V 560mOhm @ 500mA, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 2 nC @ 8 V 30 V ±8V 36 pF @ 15 V - - SC-75A - 220mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1428EDH-T1-GE3

SI1428EDH-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6

Vishay Siliconix

7,364 -
SI1428EDH-T1-GE3

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 2.5V, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V Surface Mount 1.3V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V 30 V ±12V - - - SC-70-6 - 2.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

6,743 -
SIR798DP-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.05mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 30 V ±20V 5050 pF @ 15 V - Schottky Diode (Body) PowerPAK® SO-8 - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

9,624 -
SIS496EDNT-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 30 V ±20V 1515 pF @ 15 V - - PowerPAK® 1212-8 - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

9,892 -
SIS626DN-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 2.5V, 10V 9mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 25 V ±12V 1925 pF @ 15 V - - PowerPAK® 1212-8 - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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