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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SK3287ANTL-E

2SK3287ANTL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

333,000 -
2SK3287ANTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2552-T1-A

2SK2552-T1-A

SMALL SIGNAL FET

Renesas Electronics Corporation

105,000 -
2SK2552-T1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1399-T2B-A

2SK1399-T2B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

83,090 -
2SK1399-T2B-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3348CNTL-E

2SK3348CNTL-E

N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

27,000 -
2SK3348CNTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1590(0)-T1B-AT

2SK1590(0)-T1B-AT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

17,551 -
2SK1590(0)-T1B-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ576APTL-E

2SJ576APTL-E

P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

15,000 -
2SJ576APTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK160A-L-A

2SK160A-L-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

6,535 -
2SK160A-L-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK515-T1B-A

2SK515-T1B-A

SMALL SIGNAL FET

Renesas Electronics Corporation

91,000 -
2SK515-T1B-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SJ586CPTL-E

2SJ586CPTL-E

P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

24,000 -
2SJ586CPTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3289ANTL-E

2SK3289ANTL-E

N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

13,460 -
2SK3289ANTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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