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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
2SK3290BNTL-E

2SK3290BNTL-E

N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
2SK3290BNTL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03J4DPA-00#J5A

RJK03J4DPA-00#J5A

N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
RJK03J4DPA-00#J5A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2158-T2B-AT

2SK2158-T2B-AT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

7,576 -
2SK2158-T2B-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1658-T1-A

2SK1658-T1-A

MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
2SK1658-T1-A

数据表

- SC-70, SOT-323 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100mA (Ta) - 25Ohm @ 10mA, 4V Surface Mount 1.5V @ 1µA - 30 V - 15 pF @ 3 V - - SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold - - -
2SJ559(0)-T1-A

2SJ559(0)-T1-A

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
2SJ559(0)-T1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK6025DPD-00#J2

RJK6025DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

Renesas Electronics Corporation

7,890 -
RJK6025DPD-00#J2

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 10V 17.5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 5V @ 1mA 5 nC @ 10 V 600 V ±30V 37.5 pF @ 25 V - - MP-3A - 29.7W (Tc) 150°C (TJ)
2SK3484-AZ

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251

Renesas Electronics Corporation

6 -
2SK3484-AZ

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 125mOhm @ 8A, 10V Through Hole - 20 nC @ 10 V 100 V ±20V 900 pF @ 10 V - - TO-251 - 1W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ)
3SK317ZR-TL-E

3SK317ZR-TL-E

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

457,889 -
3SK317ZR-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1582-T1B-A

2SK1582-T1B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

226,980 -
2SK1582-T1B-A

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 4V, 10V 3Ohm @ 10mA, 10V Surface Mount 1.8V @ 1µA - 30 V ±20V 28 pF @ 5 V - - SC-59 - 200mW (Ta) 150°C
2SK1580(0)-T1-A

2SK1580(0)-T1-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

105,000 -
2SK1580(0)-T1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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