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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
APTM20DAM08TG

APTM20DAM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

Microchip Technology

7,102 -
APTM20DAM08TG

数据表

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 208A (Tc) 10V 10mOhm @ 104A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 280 nC @ 10 V 200 V ±30V 14400 pF @ 25 V - - SP4 - 781W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20SKM08TG

APTM20SKM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

Microchip Technology

3,985 -
APTM20SKM08TG

数据表

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 208A (Tc) 10V 10mOhm @ 104A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 280 nC @ 10 V 200 V ±30V 14400 pF @ 25 V - - SP4 - 781W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Microchip Technology

4,620 -
APTM10DAM05TG

数据表

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 278A (Tc) 10V 5mOhm @ 125A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V 100 V ±30V 20000 pF @ 25 V - - SP4 - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM10SKM05TG

APTM10SKM05TG

MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Microchip Technology

9,145 -
APTM10SKM05TG

数据表

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 278A (Tc) 10V 5mOhm @ 125A, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V 100 V ±30V 20000 pF @ 25 V - - SP4 - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTC60DAM18CTG

APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4

Microchip Technology

9,381 -
APTC60DAM18CTG

数据表

CoolMOS™ SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 143A (Tc) 10V 18mOhm @ 71.5A, 10V Chassis Mount 3.9V @ 4mA 1036 nC @ 10 V 600 V ±30V 28000 pF @ 25 V - - SP4 - 833W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM50DAM19G

APTM50DAM19G

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Microchip Technology

4,195 -
APTM50DAM19G

数据表

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 163A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 492 nC @ 10 V 500 V ±30V 22400 pF @ 25 V - - SP6 - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM50SKM19G

APTM50SKM19G

MOSFET N-CH 500V 163A SP6

Microchip Technology

5,824 -
APTM50SKM19G

数据表

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 163A (Tc) 10V 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 492 nC @ 10 V 500 V ±30V 22400 pF @ 25 V - - SP6 - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20DAM05G

APTM20DAM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

Microchip Technology

6,536 -
APTM20DAM05G

数据表

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 317A (Tc) 10V 6mOhm @ 158.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 448 nC @ 10 V 200 V ±30V 27400 pF @ 25 V - - SP6 - 1136W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20DAM04G

APTM20DAM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

Microchip Technology

7,385 -
APTM20DAM04G

数据表

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 372A (Tc) 10V 5mOhm @ 186A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V 200 V ±30V 28900 pF @ 25 V - - SP6 - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTM20SKM04G

APTM20SKM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

Microchip Technology

5,320 -
APTM20SKM04G

数据表

- SP6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 372A (Tc) 10V 5mOhm @ 186A, 10V Chassis Mount 5V @ 10mA 560 nC @ 10 V 200 V ±30V 28900 pF @ 25 V - - SP6 - 1250W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
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