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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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APT8015JVFR

APT8015JVFR

MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP

Microchip Technology

2,942 -
APT8015JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) - 150mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 285 nC @ 10 V 800 V - 17650 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APTM120DA30CT1G

APTM120DA30CT1G

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Microchip Technology

2,539 -
APTM120DA30CT1G

数据表

POWER MOS 8™ SP1 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31A (Tc) 10V 360mOhm @ 25A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 560 nC @ 10 V 1200 V ±30V 14560 pF @ 25 V - - SP1 - 657W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APTC60SKM24CT1G

APTC60SKM24CT1G

MOSFET N-CH 600V 95A SP1

Microchip Technology

7,737 -
APTC60SKM24CT1G

数据表

CoolMOS™ SP1 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 95A (Tc) 10V 24mOhm @ 47.5A, 10V Chassis Mount 3.9V @ 5mA 300 nC @ 10 V 600 V ±20V 14400 pF @ 25 V - - SP1 - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APT50M38JFLL

APT50M38JFLL

MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP

Microchip Technology

7,075 -
APT50M38JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 88A (Tc) - 38mOhm @ 44A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 270 nC @ 10 V 500 V - 12000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT10025JVFR

APT10025JVFR

MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP

Microchip Technology

2,162 -
APT10025JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) - 250mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 5mA 990 nC @ 10 V 1000 V - 18000 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT10026JLL

APT10026JLL

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP

Microchip Technology

4,331 -
APT10026JLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) - 260mOhm @ 15A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 267 nC @ 10 V 1000 V - 7114 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT10021JLL

APT10021JLL

MOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP

Microchip Technology

3,549 -
APT10021JLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 37A (Tc) 10V 210mOhm @ 18.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 395 nC @ 10 V 1000 V ±30V 9750 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT10026JFLL

APT10026JFLL

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOP

Microchip Technology

9,102 -
APT10026JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) - 260mOhm @ 15A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 267 nC @ 10 V 1000 V - 7114 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT12031JFLL

APT12031JFLL

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOTOP

Microchip Technology

3,818 -
APT12031JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 330mOhm @ 15A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 365 nC @ 10 V 1200 V ±30V 9480 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 690AW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Microchip Technology

7,176 -
APTM100DA18TG

数据表

- SP4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 43A (Tc) 10V 210mOhm @ 21.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 5mA 372 nC @ 10 V 1000 V ±30V 10400 pF @ 25 V - - SP4 - 780W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
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