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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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APT6010JLL

APT6010JLL

MOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP

Microchip Technology

7,679 -
APT6010JLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) - 100mOhm @ 23.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V 600 V - 6710 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT30M30JLL

APT30M30JLL

MOSFET N-CH 300V 88A ISOTOP

Microchip Technology

7,861 -
APT30M30JLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 88A (Tc) - 30mOhm @ 44A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 140 nC @ 10 V 300 V - 7030 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Microchip Technology

6,269 -
APT26M100JCU3

数据表

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 396mOhm @ 18A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 305 nC @ 10 V 1000 V ±30V 7868 pF @ 25 V - - SOT-227 - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APT5010JFLL

APT5010JFLL

MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP

Microchip Technology

5,762 -
APT5010JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 41A (Tc) - 100mOhm @ 20.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 95 nC @ 10 V 500 V - 4360 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT50N60JCCU2

APT50N60JCCU2

MOSFET N-CH 600V 50A SOT227

Microchip Technology

8,004 -
APT50N60JCCU2

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 45mOhm @ 22.5A, 10V Chassis Mount 3.9V @ 3mA 150 nC @ 10 V 600 V ±20V 6800 pF @ 25 V - - SOT-227 - 290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APT6013JFLL

APT6013JFLL

MOSFET N-CH 600V 39A ISOTOP

Microchip Technology

4,736 -
APT6013JFLL

数据表

POWER MOS 7® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 39A (Tc) - 130mOhm @ 19.5A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 130 nC @ 10 V 600 V - 5630 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP

Microchip Technology

2,076 -
APT30M40JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 40mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 2.5mA 425 nC @ 10 V 300 V ±30V 10200 pF @ 25 V - - ISOTOP® - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
APT10050JVFR

APT10050JVFR

MOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP

Microchip Technology

6,639 -
APT10050JVFR

数据表

POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) - 500mOhm @ 500mA, 10V Chassis Mount 4V @ 2.5mA 500 nC @ 10 V 1000 V - 7900 pF @ 25 V - - ISOTOP® - - -
APT20M120JCU2

APT20M120JCU2

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

Microchip Technology

9,245 -
APT20M120JCU2

数据表

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 672mOhm @ 14A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V 1200 V ±30V 7736 pF @ 25 V - - SOT-227 - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
APT20M120JCU3

APT20M120JCU3

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227

Microchip Technology

3,129 -
APT20M120JCU3

数据表

POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 672mOhm @ 14A, 10V Chassis Mount 5V @ 2.5mA 300 nC @ 10 V 1200 V ±30V 7736 pF @ 25 V - - SOT-227 - 543W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
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