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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF6712STR1PBF

IRF6712STR1PBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

Infineon Technologies

9,446 -
IRF6712STR1PBF

数据表

HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta), 68A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 2.4V @ 50µA 18 nC @ 4.5 V 25 V ±20V 1570 pF @ 13 V - - DIRECTFET™ SQ - 2.2W (Ta), 36W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IRFZ34NSTRRPBF

IRFZ34NSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

Infineon Technologies

5,406 -
IRFZ34NSTRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V 55 V ±20V 700 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SPB42N03S2L-13

SPB42N03S2L-13

MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3

Infineon Technologies

83 -
SPB42N03S2L-13

数据表

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 4.5V, 10V 12.6mOhm @ 21A, 10V Surface Mount 2V @ 37µA 30.5 nC @ 10 V 30 V ±20V 1130 pF @ 25 V - - PG-TO263-3-2 - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRL5602STRRPBF

IRL5602STRRPBF

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

Infineon Technologies

4,693 -
IRL5602STRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1460 pF @ 15 V - - D2PAK - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFZ44ESTRRPBF

IRFZ44ESTRRPBF

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

Infineon Technologies

5,245 -
IRFZ44ESTRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 60 V ±20V 1360 pF @ 25 V - - D2PAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRL3715STRRPBF

IRL3715STRRPBF

MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

Infineon Technologies

2,147 -
IRL3715STRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V 20 V ±20V 1060 pF @ 10 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF9530NSTRRPBF

IRF9530NSTRRPBF

MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

Infineon Technologies

9,000 -
IRF9530NSTRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V 100 V ±20V 760 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IPAN60R650CEXKSA1

IPAN60R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220

Infineon Technologies

9,609 -
IPAN60R650CEXKSA1

数据表

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.9A (Tc) 10V 650mOhm @ 2.4A, 10V Through Hole 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V 600 V ±20V 440 pF @ 100 V - - PG-TO220-FP - 28W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IRLZ44ZSTRRPBF

IRLZ44ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

Infineon Technologies

4,559 -
IRLZ44ZSTRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V 55 V ±16V 1620 pF @ 25 V - - D2PAK - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF5305STRRPBF

IRF5305STRRPBF

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

Infineon Technologies

9,797 -
IRF5305STRRPBF

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V 55 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - D2PAK - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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