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onsemi ECH8656-TL-H
零件号:
ECH8656-TL-H
制造商:
onsemi
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
8-SMD, Flat Leads
数据表:
ECH8656-TL-H.pdf
描述:
MOSFET N-CH 20V 7.5A 8ECH
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ECH8656-TL-H 规格

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制造商
onsemi
系列:
-
封装/外壳:
8-SMD, Flat Leads
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Obsolete
FET 类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
7.5A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
1.8V, 4.5V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
17mOhm @ 4A, 4.5V
安装类型:
Surface Mount
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
1.3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
10.8 nC @ 4.5 V
漏极到源极电压 (Vdss):
20 V
栅极电压 (Vgs)(最大值):
±10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
1060 pF @ 10 V
认证:
-
FET 特性:
-
供应商设备封装:
8-ECH
等级:
-
功耗(最大值):
1.3W (Ta)
工作温度:
150°C (TJ)
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
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零件号 ECH8656-TL-H ECH8656-TL-H
制造商 onsemi onsemi
系列 * -
封装/外壳 - 8-SMD, Flat Leads
包装 Bulk Tape & Reel (TR)
产品状态 Active Obsolete
FET 类型 - N-Channel
技术 - MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - 7.5A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) - 1.8V, 4.5V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs - 17mOhm @ 4A, 4.5V
安装类型 - Surface Mount
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id - 1.3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs - 10.8 nC @ 4.5 V
漏极到源极电压 (Vdss) - 20 V
栅极电压 (Vgs)(最大值) - ±10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds - 1060 pF @ 10 V
认证 - -
FET 特性 - -
供应商设备封装 - 8-ECH
等级 - -
功耗(最大值) - 1.3W (Ta)
工作温度 - 150°C (TJ)

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