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Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1210+
- 零件号:
- DS1210+
- 分类:
- 控制器
- 封装:
- 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- 数据表:
-
DS1210+.pdf
- 描述:
- IC CONTROLLER CHIP NV 8-DIP
- 数量:
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产品详情
DS1210+ - Maxim/Dallas DS1210 非易失控制器,SRAM 电池备份,双电池,8-PDIP | DS1210
DS1210+ 是 Dallas/Maxim DS1210 非易失控制器的无铅 8 引脚 DIP 版本. 它把标准 CMOS SRAM 变成非易失存储器:监控 VCC,掉电时无条件对 RAM 写保护并切换到电池备份,电池电流低于 100nA. 凭借双电池输入(自动选高)\4.62V 写保护阈值和可选 5%/10% 容差,它是 嵌入式系统\工业控制器\仪表和计算机经典的数据保持守卫.
产品介绍
DS1210 是 Dallas Semiconductor(现经 Maxim 归入 Analog Devices)的一款非易失控制器,把普通 CMOS 静态 RAM 变成非易失存储器.DS1210+ 是符合 RoHS("+")的 8 引脚 DIP 版本.接在系统 VCC\电池和 SRAM 的片选之间,即可省去专用的非易失存储器件.
核心功能是带写保护的电源监控.DS1210 持续把 VCC 与一个精密阈值(5% 模式下典型 4.62V,由 TOL 脚选择)比较.当 VCC 在容差内时,片选输出 /CEO 以几纳秒延迟跟随 /CE 输入,SRAM 正常工作.一旦 VCC 跌出容差,DS1210 不论 /CE 状态,把 /CEO 强制拉高(失效),对 SRAM 无条件写保护,使电源轨崩溃时没有杂散写入破坏数据.
同时它处理电池切换.阈值以下,芯片把 RAM 电源(VCCO)从 VCCI 切到两路电池输入(VBAT1\VBAT2)中较高的一路,正向压降很低.两路电池输入实现冗余备份;DS1210 自动选较高的一路,并在上电时测试电池状态.备份时从电池消耗低于 100nA,小电池即可保持数据多年.电源恢复后,它等待一段恢复延迟(约 2 至 125ms),完成进行中的存储周期后才重新允许写入,保证数据完整.
专家技术见解
围绕 DS1210 怎么设计 SRAM 非易失化,关键是什么?
- 写保护才是真正的活: 数据不是在断电那刻丢的,而是在欠压窗口--CPU 可能在下垂的轨上写入垃圾.DS1210 在阈值以下把 /CEO 强制失效,在电源轨变得不安全之前就挡住所有写入.
- 用 TOL 选容差: 紧的 5V 轨把 TOL 接 GND(5% 阈值 4.50/4.62/4.74V),宽松电源接 VCCO(10% 阈值 4.25/4.37/4.49V).阈值必须安全地高于 SRAM 的最低工作电压.
- 双电池与低消耗: 为冗余接两个 VBAT 脚(不用的接地).低于 100nA 的备份电流和上电电池测试,让多年数据保持变得实用.
核心优势
把标准 CMOS RAM 变成非易失存储器,自动写保护与电池切换.
VCC 超出容差时强制 /CEO 失效,挡住欠压期间的破坏性写入.
两路电池输入自动选高,备份电流低于 100nA,数据保持多年.
TOL 脚选 4.62V(5%)或 4.37V(10%)电源故障阈值,适配紧或宽松的 5V 轨.
规格参数
| 参数 | 值 | 条件 / 备注 |
|---|---|---|
| 器件类型 | 非易失控制器 | SRAM 电池备份控制器 |
| 制造商 | Dallas / Maxim(ADI) | DS1210 |
| 工作电压 (VCCI) | 4.75V 至 5.5V (5%) | 10% 模式 4.5V 至 5.5V |
| 写保护阈值 (5%) | 4.50 / 4.62 / 4.74V | TOL = GND |
| 写保护阈值 (10%) | 4.25 / 4.37 / 4.49V | TOL = VCCO |
| 供电电流 (ICCI) | 5mA 最大 | 工作态 |
| 电池备份电流 | 50µA 典型 | VCCO = VBAT - 0.3V |
| 电池消耗 (IBAT) | 100nA 典型 | 自身消耗 |
| 电池输入 | 双路 (VBAT1, VBAT2) | 2.0V 至 4.0V,自动选高 |
| 恢复延迟 (tREC) | 2 至 125ms | VCC 恢复后 |
| 工作温度 | 0 至 +70°C | DS1210N 为 -40 至 +85°C |
| 封装 | 8 引脚 DIP (300 mil) | 另有 16 引脚 SOIC |
| 订货型号 | DS1210+ | 8-PDIP,无铅 |
注： 数值取自 Dallas/Maxim DS1210 数据手册.在确定设计前,请将每项参数与最新官方文档核对.
封装信息
DS1210+ 采用 8 引脚 DIP(300 mil PDIP);型号中的 "+" 表示符合 RoHS 的无铅表面处理.同一颗 DS1210 也提供 16 引脚 SOIC 用于表面贴装.把控制器放在系统 VCC(VCCI)\电池和 SRAM 之间,到 RAM 的 VCCO 走线尽量短,并把 VCCI 在引脚附近去耦.封装尺寸与第 1 脚方向见下图.
📄 完整规格请参阅 Dallas/Maxim DS1210 官方数据手册.
引脚与信号定义
8 引脚 DIP 引出电源监控\电池和片选功能:
- 第 1 脚 - VCCO: 到 RAM 的电源输出(VCCI 或电池).
- 第 2 脚 - VBAT1: 电池 1 输入(+).
- 第 3 脚 - TOL: 容差选择(GND = 5%,VCCO = 10%).
- 第 4 脚 - GND: 地.
- 第 5 脚 - /CE: 来自系统的片选输入(低有效).
- 第 6 脚 - /CEO: 到 RAM 的片选输出(低有效,VCC 失效时写保护).
- 第 7 脚 - VBAT2: 电池 2 输入(+);冗余备份.
- 第 8 脚 - VCCI: +5V 电源输入.
8 引脚 DIP 的物理引脚编号请参见下方封装图.
替代与相关型号
下列是我司在库的相关 Dallas/Maxim 非易失与电池备份 IC.它们并非都可直接替换;替换前请核对功能\引脚排布和电池方案.
| 型号 | 品牌 | 类型 / 主要差异 | 封装 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| DS1211 | Maxim/Dallas | 非易失控制器 | 16-DIP | 可控制多达 2 个 RAM |
| DS1213B | Maxim/Dallas | SmartSocket(控制+插座) | 模块 | 集成电池+控制 |
| DS1216B | Maxim/Dallas | SmartWatch RAM (RTC + NV) | 模块 | 带实时时钟 |
| DS1245AB-100 | Maxim/Dallas | 1Mbit NVSRAM(集成) | DIP | RAM + 控制一体 |
| DS1302 | Maxim/Dallas | 涓流充电 RTC | DIP-8 | 电池备份计时 |
选型提示： 要把一颗外部 SRAM 用小巧 8 脚 DIP 做成非易失,就留在 DS1210.DS1211 可控两个 RAM;SmartSocket/SmartWatch 的 DS1213B/DS1216B 集成了电池(和时钟).DS1245AB 把 RAM 与控制合一,DS1302 面向电池备份计时而非 RAM.
制造商信息
Dallas Semiconductor(现经 Maxim Integrated 归入亚德诺半导体 Analog Devices)开创了 DS 系列非易失与计时控制器,成为电池备份存储的行业标准.DS1210 是经典的非易失控制器,广泛用于赋予 CMOS SRAM 非易失存储器的数据保持能力.
该器件以完整的数据手册表征,以及关于阈值选择\电池容量和 SRAM 接口的应用说明来支撑--这些细节决定存储数据能否挺过多年的电源循环.
应用领域
常见问题
DS1210+ 是做什么的?
它是一款非易失控制器,把 CMOS SRAM 变成非易失存储器:监控 VCC,掉电时对 RAM 写保护并切换到两路备份电池之一,备份时消耗低于 100nA.
写保护阈值是多少?
5% 模式(TOL = GND)典型 4.62V,10% 模式(TOL = VCCO)典型 4.37V.阈值以下 /CEO 被强制失效以阻止写入.
可以用两个电池吗?
可以.VBAT1 和 VBAT2 接受 2.0 至 4.0V 电池;DS1210 为冗余自动选较高的一路,并在上电时测试状态.单电池使用时把未用脚接地.
它在掉电时如何保护数据?
VCC 跌破阈值时,它不论 /CE 把 /CEO 强制失效,使写入无法到达 RAM,然后把 VCCO 切到电池.恢复时等待 2 至 125ms 恢复延迟才重新允许写入.
免责声明
信息准确性： 本页规格基于 Dallas/Maxim DS1210 官方数据手册.我们力求信息准确完整,但参数可能随产品改版而变化,因此设计工程师应在最终设计前将所有数值与最新官方文档核对.
产品真伪保证： 我们供应的所有元件均为原厂正品,具备完整的物料可追溯性.
技术支持： 免费提供售前与售后技术咨询.
应用提示： 本页仅供参考.是否适用于特定应用,应由设计工程师根据实际系统要求确认.
DS1210+ 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- 包装:
- Bulk
- 产品状态:
- Obsolete
- 控制器类型:
- Nonvolatile RAM
- 电压 - 电源:
- 4.75V ~ 5.5V
- 安装类型:
- Through Hole
- 供应商设备封装:
- 8-PDIP
- 工作温度:
- 0°C ~ 70°C
- 分类:
- 控制器
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| 零件号 | DS1210+ | DS1210S+ | DS1210SN+T&R | DS1210S | DS1210S/T&R |
| 制造商 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| 系列 | - | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 包装 | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| 控制器类型 | Nonvolatile RAM | Nonvolatile RAM | Nonvolatile RAM | Nonvolatile RAM | Nonvolatile RAM |
| 电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V | 4.75V ~ 5.5V |
| 安装类型 | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-PDIP | 16-SOIC | 16-SOIC | 16-SOIC | 16-SOIC |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | 0°C ~ 70°C |
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