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Infineon Technologies 111-3038PBF
- 零件号:
- 111-3038PBF
- 分类:
- OR 控制器、理想二极管
- 封装:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 数据表:
-
111-3038PBF.pdf
- 描述:
- IC OR CTRLR N+1 8SOIC
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产品详情
IR5001S - Infineon 通用有源ORing控制器(SO-8, 100V, 130ns关断) | 订货码: 111-3038PBF
IR5001S(in-fortune 订货码 111-3038PBF)是 Infineon(原 International Rectifier 器件)推出的通用高速有源ORing控制器兼 N沟道 MOSFET 驱动器, 通过检测外置 ORing MOSFET 两端电压,在电流反向时以典型 130ns 将其关断, 具备 3A 峰值关断栅极驱动\0V 至 100V 宽线电压范围\可由 36V 至 75V 线路自供电的内部稳压器以及集成输入钳位, 采用 8 脚 SO-8(窄体)封装,面向冗余电源 ORing 与反向极性保护.
产品介绍
IR5001S 是一款通用有源 ORing 控制器,驱动一颗外置 N沟道 MOSFET,在冗余电源系统中充当近乎理想的二极管.在 N+1 电源或双路供电母线中,每路电源经各自的 MOSFET 馈入公共输出;IR5001S 监测该 MOSFET 两端电压,在正向导通时让它保持完全开启,于是导通损耗是 FET 导通电阻,而非肖特基二极管的 0.4V 至 0.7V 压降.输出电压由器件输入端测得的差值决定,本器件面向 ORing 与反向极性保护两类应用.
当某一路电源短路或母线倒灌时,电流试图在该支路反向流动.IR5001S 检测到反向并以典型 130ns 将 MOSFET 关断,在倒灌拖垮正常母线之前隔离故障馈电.3A 峰值栅极拉低电流即便面对大功率 MOSFET 也能实现快速关断,且器件设计可承受控制栅极持续短路而不损坏.
控制器可由单一 5V 至 12V 级别的 Vcc 工作,也可通过内部稳压器直接从线路取得偏置--从 36V 至 75V 电信轨(最高 100V)取电,因此无需单独的辅助电源.Vline 输入带有集成电压钳位,少量外部元件即可完成电路.器件采用 8 脚 SO-8(窄体)封装,无铅(PbF).
专家技术洞察
为什么用有源 ORing 控制器而不是 ORing 二极管,IR5001S 又把哪些决定留给设计者?
- 它用受控 MOSFET 取代损耗大的二极管：无源 ORing 二极管把功率消耗在"负载电流 × 正向压降"上,在数十安培时就成了散热难题.IR5001S 驱动外置 N沟道 MOSFET,正向损耗变成"电流平方 × RDS(on)";设计者按母线电流与允许耗散来选这颗 MOSFET,一个控制器即可服务几安培到极大电流的母线.
- 故障时速度就是一切：当某路供电塌陷时,母线电容会经 ORing FET 倒灌回去.IR5001S 的 130ns 关断与 3A 栅极拉低会在反向涌流放掉输出之前把栅极拉低,这正是冗余母线能在失去一路时不打嗝的原因.关断慢了,正常电源就会被拉进故障里.
- 自供电是用一个引脚换一路电源：由于内部稳压器能直接从 36V 至 75V 线路给控制器偏置,-48V 电信板卡的 ORing 功能无需单独的辅助轨;在 12V 低压母线上则改用外部 Vcc.欠压锁定(约 9.6V 开\7.2V 关)在栅驱电压不足以让 MOSFET 完全开启之前保持其关断.
核心优势
检测到 ORing MOSFET 两端反向后以典型 130ns 将其关断,在失效或倒灌的电源拖垮冗余母线之前将其隔离.
内部稳压器直接从 36V 至 75V 线路(最高 100V)给控制器偏置,电信板卡无需单独辅助电源;也支持 5V 至 12V 外部 Vcc.
3A 峰值拉低让大功率 MOSFET 也能快速关断,且驱动可承受控制栅极持续短路而不损坏.
既适合 N+1 电源 ORing,也适合 DC-DC 模块的反向输入极性保护,带集成输入钳位\外部元件极少.
技术规格
| 参数 | 数值 | 条件 / 说明 |
|---|---|---|
| 器件类型 | 有源ORing / 理想二极管控制器 | 驱动外置 N沟道 MOSFET |
| 制造商 | Infineon(International Rectifier) | 原 IR 产品线 |
| Vline 工作范围 | 0V 至 100V | 宽线电压 / 输入范围 |
| Vcc 供电 | 由 Vline 自生成,或外部供给 | 内部稳压器适配 36V 至 75V 线路 |
| Vcc 欠压锁定 | 9.6V 开 / 7.2V 关(典型) | 2.3V 迟滞 |
| 关断响应时间 | 130ns(典型) | 反向电流阻断 |
| 栅极驱动峰值关断电流 | 3A | MOSFET 快速关断 |
| 输入失调电压 | -4mV(典型) | 正向调节 / 关断阈值点 |
| 输入迟滞 | 31mV(典型) | 13mV 至 44mV |
| Vline 偏置电流 | 0.5mA @36V | 0.3mA @25V,1.7mA @100V |
| 控制栅极短路 | 可承受持续短路 | 鲁棒性特性 |
| 工作结温 | -40°C 至 125°C | 存储 -65°C 至 150°C |
| 封装 | SO-8 窄体 | Theta-JA 128°C/W,无铅(PbF) |
注：数值取自 Infineon / International Rectifier 的 IR5001S 数据手册(除注明外为 25°C 典型值).在最终设计前,请对照最新官方手册核对每一项参数.
封装信息
订货码 111-3038PBF 的 IR5001S 采用 8 脚 SO-8(窄体)封装,鸥翼引脚\1.27mm 脚距的表面贴装外形,结到环境的典型热阻为 128°C/W."PbF" 后缀表示无铅(RoHS)镀层,并提供 IR5001STR 卷带选项.窄体 SO-8 适合标准 SMT 贴装与 AOI 检查,便于电信级电源板量产.
引脚定义(SO-8)
IR5001S 的 8 脚 SO-8 定义如下：
- 第 1 脚 - Vline：线侧连接与偏置输入.接到 ORing MOSFET 的线侧;内部稳压器可从该脚取偏置生成 Vcc,使控制器能从线路自供电.
- 第 2 脚 - Vcc：控制器供电.由 Vline 内部生成或外部供给.欠压锁定约在 9.6V 使能\7.2V 关断.
- 第 3 脚 - FETch：到外置 N沟道 ORing MOSFET 的栅极驱动输出.正向导通时增强 FET,检测到反向电流时以 3A 峰值拉低将其快速关断.
- 第 4 脚 - FETst：MOSFET 源极 / 状态检测.把栅极驱动参考到 ORing MOSFET 的源侧.
- 第 5 脚 - INP：同相比较器输入.与 INN 一起检测 ORing MOSFET 两端电压,判定正向导通还是关断.
- 第 6 脚 - INN：反相比较器输入.与 INP 配对;输入失调电压设定正向调节与反向关断阈值.
- 第 7 脚 - Gnd：器件地参考.
- 第 8 脚 - Vout：输出侧连接.接到 ORing 配置的公共输出母线.
替代与相关型号
下列型号是有源 ORing 与理想二极管控制的参考替代项.它们并非即插即用替代品;在替换前请核对线电压范围\关断速度\栅驱强度\封装与自供电能力.
| 型号 | 品牌 | 类型 / 主要差异 | 封装 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| IR5001STR | Infineon | 同款有源 ORing 控制器 / 卷带 | SO-8 | 同一晶片,卷带包装 |
| LM5050-1 | Texas Instruments | 有源 ORing / 理想二极管控制器 / 高侧 | SOT-23 / WSON | 引脚更少,范围更窄 |
| LTC4357 | Analog Devices | 理想二极管控制器 / 9V 至 80V | MSOP-8 / DFN | 最高线电压更低 |
| TPS2419 | Texas Instruments | ORing 控制器 / 快速关断 | SO-8 / SON | 同类 ORing 功能 |
| MAX5982 | Maxim | 有源 ORing 控制器 / 电信 | TQFN | 集成式电信 ORing 替代 |
选型建议：当线电压可达 100V\需要从 -48V 电信轨自供电\且要求 130ns 快速关断配 3A 强栅驱时,选 IR5001S.低于 80V 母线可转向 LTC4357 这类理想二极管控制器;当板面比外置 MOSFET 的灵活性更重要时,转向集成式电信 ORing 器件.
制造商信息
Infineon Technologies AG 总部位于德国 Neubiberg,是功率半导体与电源管理 IC 的领先供应商.IR5001 源自 International Rectifier--这家电源转换先驱于 2015 年被 Infineon 收购,如今该器件归入 Infineon 的热插拔\ORing 与配电控制器产品组合,与其 MOSFET 及栅极驱动器并列.
IR5001S 是一款延续维护的 IR 有源 ORing 控制器,面向冗余电源与电信配电设计.Infineon 提供与 ORing 功能匹配的多种 N沟道 功率 MOSFET,从控制器到通流元件可由同一厂商一站配齐.
应用领域
常见问题
有源 ORing 控制器能做到二极管做不到的什么?
IR5001S 驱动外置 N沟道 MOSFET 充当近乎理想的二极管,于是正向损耗是 FET 的 RDS(on),而非二极管 0.4V 至 0.7V 的压降,在大电流下显著省功率.它还在电流反向时以典型 130ns 关断 MOSFET,比无源 ORing 二极管更快隔离失效馈电\发热也小得多.
IR5001S 需要单独供电吗?
高压轨上不需要.内部稳压器可直接从 36V 至 75V 线路(最高 100V)给控制器偏置,因此 -48V 电信板卡无需辅助电源.在 12V 等低压母线上则改用外部 Vcc;欠压锁定在栅驱电压不足前保持 MOSFET 关断.
它阻断反向电流有多快?
典型关断响应为 130ns,由 3A 峰值栅极拉低驱动.这个速度能在输出母线电容经短路或塌陷馈电倒灌放电之前把 ORing MOSFET 拉断,这正是冗余母线在失去一路时不出现可见跌落的原因.
IR5001S 该配什么 MOSFET?
配一颗耐压高于母线电压\RDS(on) 低以满足目标电流与正向损耗的 N沟道 功率 MOSFET.按最坏情况连续电流及其热极限来选;IR5001S 的 3A 栅驱可应对大栅电荷,耐栅极短路则增加故障余量.
免责声明
信息准确性：本页规格基于 Infineon / International Rectifier 官方 IR5001S 数据手册.我们力求信息准确完整,但参数会随产品改版而变化,设计工程师应在最终设计前对照最新官方文档核对所有数值.
正品保证：我们供应的所有器件均为原厂正品,具备完整的物料可追溯性.
技术支持：提供免费的售前与售后技术咨询.
应用提示：本页仅供参考.是否适用于特定应用,应由设计工程师结合实际系统需求确认.
111-3038PBF 规格
- 规格
- 常见问题
- 属性
- 属性值
- 制造商
- Infineon Technologies
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 包装:
- Tube
- 产品状态:
- Obsolete
- 类型:
- N+1 ORing Controller
- FET 类型:
- N-Channel
- 内部开关:
- No
- 延迟时间 - 开启:
- 27 µs
- 延迟时间 - 关闭:
- 130 ns
- 电流 - 输出（最大值）:
- -
- 电流 - 电源:
- 500 µA
- 输入：输出比:
- N:1
- 电压 - 电源:
- 36V ~ 75V
- 应用:
- -48V Dist Power Systems
- 供应商设备封装:
- 8-SOIC
- 工作温度:
- 0°C ~ 85°C
- 安装类型:
- Surface Mount
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 分类:
- OR 控制器、理想二极管
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- 对比
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| 图片 | |
| 零件号 | 111-3038PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | Obsolete |
| 类型 | N+1 ORing Controller |
| FET 类型 | N-Channel |
| 内部开关 | No |
| 延迟时间 - 开启 | 27 µs |
| 延迟时间 - 关闭 | 130 ns |
| 电流 - 输出（最大值） | - |
| 电流 - 电源 | 500 µA |
| 输入：输出比 | N:1 |
| 电压 - 电源 | 36V ~ 75V |
| 应用 | -48V Dist Power Systems |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
- 电压调节器 - 低压差（LDO）稳压器(66836)
- 电压调节器 - 线性稳压器控制器(325)
- 电压调节器 - 线性 + 开关(1473)
- 电压调节器 - DC-DC 开关稳压器(35756)
- 电压参考(8428)
- V/F 和 F/V 转换器(139)
- 热管理(515)
- 监控器(41287)
- 专用稳压器(4820)
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